Solución de memoria para almacenamiento XL-FLASH
Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha anunciado el lanzamiento de una nueva solución de memoria para almacenamiento (SCM): XL-FLASH ™. Basado en la innovadora tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASHTM de la compañía con SLC de 1 bit por celda, XL-FLASH brinda baja latencia y alto rendimiento para aplicaciones de centro de datos y almacenamiento empresarial.
Clasificada como SCM (o memoria persistente), con una capacidad de retener su contenido similar a la memoria flash NAND, XL-FLASH cierra la brecha de rendimiento que existe entre DRAM y NAND. Si bien las soluciones de memoria volátil, como DRAM, proporcionan la velocidad de acceso que necesitan las aplicaciones exigentes, ese rendimiento tiene un alto coste. A medida que el coste por bit y la escalabilidad de la DRAM se nivelan, esta nueva capa SCM en la jerarquía de memoria resuelve ese problema con una solución de memoria flash NAND no volátil, de alta densidad y rentable. Preparada para crecer, la firma de analistas de la industria IDC estima que el mercado SCM alcanzará más de 3.000 millones de dólares en 2022 [1].
Posicionado entre DRAM y flash NAND, XL-FLASH brinda mayor velocidad, menor latencia y mayores capacidades de almacenamiento, a un coste menor que la DRAM tradicional. XL-FLASH se implementará inicialmente en un formato SSD, pero podría ampliarse a dispositivos conectados al canal de memoria que se encuentran en el bus DRAM, como los futuros módulos de memoria en línea duales no volátiles (NVDIMM).
Características clave
· Pastilla de 128 gigabits (Gb) (en un encapsulado de 2, 4 u 8 pastillas)
· Tamaño de página de 4 KB para lecturas y escrituras más eficientes del sistema operative
· Arquitectura de 16 planos para un paralelismo más eficiente
· Lectura rápida de la página y tiempos de programación, XL-FLASH proporciona una baja latencia de lectura de menos de 5 microsegundos, aproximadamente 10 veces más rápido que el TLC[2] existente
Como inventor de NAND flash, además de ser la primera compañía en anunciar la tecnología de memoria flash 3D y líder en migraciones de procesos, Toshiba Memory está en una posición ideal para ofrecer SCM basado en SLC con fabricación madura, escalabilidad probada y fiabilidad probada en el tiempo. .
" XL-FLASH, es la NAND de mayor rendimiento disponible, gracias a nuestra BiCS FLASH – utilizada en modo SLC”, afirmó Axel Stoermann, Vicepresidente, Toshiba Memory Europe GmbH. “Mediante el solo almacenamiento de 1 bit por celda, estamos incrementando enormemente el rendimiento. Y debido a que XL-FLASH está basado en tecnologías probadas que ya fabricamos en masa, nuestros clientes serán capaces de acelerar el lanzamiento al mercado de sus productos con la adopción de XL-FLASH una solución de memoria de almacenamiento ".
Los envíos de muestra comenzarán en septiembre de 2019, y se espera que la producción en masa comience en 2020.
[1] IDC, mayo de 2019 - Pronóstico mundial de unidades de estado sólido, 2019-2023, documento n.o US43828819
[2] En comparación con TLC NAND de TMC, que tiene una latencia de lectura de aproximadamente 50 microsegundos.
NAND de mayor rendimiento disponible basada en el hecho de que la pastilla ha sido diseñada específicamente (16 planos) para proporcionar un mayor rendimiento que TLC NAND.
Articulos Electrónica Relacionados
- Dispositivos de memoria flash ... Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha comenzado a mandar muestras de la versión de 128GB de almacenamiento flash universal (UFS) Ver.3.0 de la industria de...
- Memorias FIFO de Cypress con d... Cypress Semiconductor Corp. anuncia memorias FIFO con densidades de hasta 72 Mbit. Estas nuevas FIFO de alta densidad (HD) de Cypress resultan especialmente ind...
- Mosfets de potencia dobles par... International Rectifier (IR) amplía su oferta de PQFN con un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm y un PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm. Los nuevos encapsulados integran dos ...
- DRAM síncrona con CMOS de alta... Alliance Memory presenta la nueva DRAM síncrona (SDRAM) con CMOS de alta velocidad con una baja densidad de 16 Mb en encapsulado plástico de 50-pin, 400-mil TSO...
- Los nuevos productos de GaN in... La tecnología de los transistores de efecto de campo (FET) de silicio ha sido la preferida en numerosas aplicaciones de potencia durante décadas. En ese tiempo,...
- MOSFET de Súper Unión con cuat... Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha añadido otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de 650 V superjunction (super unión) de canal N para ampliar...
- Familia MOSFET de potencia PQF... International Rectifier, IR® ha anunciado durante el salón profesional Electronica 2010, celebrado en Munich, una familia de dispositivos de 25 V y 30 V que inc...
- IGBT de 600 V de IR optimizado... International Rectifier lanza al mercado una familia de IGBT de 600 V homologados para el automóvil y optimizados para aplicaciones de control de motores de vel...
- SDRAM DDR3 de 9 Gbits en encap... Microsemi Corporation anuncia un dispositivo de memoria SDRAM DDR3 de 9Gb, el primero de su clase que se suministra en un único encapsulado PBGA (plastic ball g...
- FET de Sic de 4.ª generación d... Mouser ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de UnitedSiC (ahora Qorvo®). Esta familia de dispositivos de cuarta generaci...
- Memoria BiCS de 48 capas Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de la primera memoria flash de 48 capas[1] con estructura de celda apilada de tres dimensiones[2] llamada BiCS, u...
- Vishay Siliconix lanza el MOSF... Vishay Intertechnology, Inc. ha dado a conocer con la denominación Si8800EDB 20-V MICRO FOOT® un MOSFET de potencia canal-N a escala de chip con superficie de 0...