el nuevo producto permite un montaje automatizado al tiempo que logra un rendimiento de disipación de calor comparable al de los encapsulados convencionales con orificios pasantes (TO-247-4L). Esto contribuye a una mayor eficiencia y fiabilidad en los circuitos de conversión de potencia para cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos utilizados en los xEV (vehículos eléctricos).
En los xEV, la adopción de dispositivos de SiC se está extendiendo más allá del ámbito de los inversores principales al incluir circuitos de conversión de potencia como los OBC y los compresores eléctricos para mejorar la velocidad de carga y ampliar la autonomía de crucero. Los dispositivos de SiC también se utilizan cada vez más en equipos industriales, como fuentes de alimentación de servidores de alto rendimiento e inversores fotovoltaicos, donde se requiere un funcionamiento de alta eficiencia.
Los dispositivos de SiC convencionales se han basado generalmente en encapsulados con orificios pasantes, que proporcionan una excelente disipación del calor durante el funcionamiento a alta potencia. Sin embargo, los dispositivos con orificios pasantes implican procesos de montaje manuales, y su factor de forma dificulta la consecución de un perfil de encapsulado más bajo. En este contexto, los dispositivos de SiC de montaje superficial compatibles con el montaje automatizado han empezado a ganar adeptos. Para solucionar estos problemas, el nuevo TSC3PAK ofrece un rendimiento de disipación de calor comparable al de la tecnología de orificios pasantes, como el TO-247, en un encapsulado de montaje superficial.
El nuevo encapsulado incorpora la estructura de ranuras “groove structure” patentada de ROHM para garantizar una distancia creepage líder en su clase* de 6,66 mm, lo que le permite alojar una tensión de pico de CA de 1200 V en un entorno de grado de contaminación 2, al tiempo que mantiene la compatibilidad con productos ampliamente utilizados en el mercado. Al permitir un diseño de aislamiento seguro en aplicaciones de alta tensión, el TSC3PAK también contribuye a reducir los costes de montaje y a aumentar la fiabilidad.
Los productos que utilizan el nuevo encapsulado incorporan los MOSFET de SiC de 4ª generación de ROHM, que consiguen una baja resistencia en conducción y características de conmutación de alta velocidad. Como resultado, las pérdidas por conmutación durante la conversión de potencia se reducen significativamente, lo que contribuye a una mayor eficiencia de la aplicación y a un menor consumo de energía.
La producción en serie comenzó en junio de 2026. Los modelos de simulación de los seis nuevos productos están disponibles en el sitio web oficial de ROHM para facilitar la evaluación rápida del diseño de circuitos. ROHM seguirá ampliando su gama de MOSFET de SiC, contribuyendo a un mayor rendimiento, un menor tamaño y una mayor fiabilidad de los equipos electrónicos.
Ejemplos de aplicación
• Sistemas para automoción: cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos
• Equipos industriales: inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores
Gama de productos
