Wolfspeed a dévoilé sa technologie de cinquième génération, qui représente une avancée substantielle en matière d'efficacité pour les applications industrielles et automobiles de nouvelle génération fonctionnant en 1200 V et 750 V.
L'adoption du carbure de silicium (SiC) comme matériau de base pour les transistors MOSFET de puissance dans les onduleurs pour véhicules électriques constitue l'une des tendances les plus marquantes de l'électronique de puissance de ces dix dernières années. Les avantages du SiC par rapport au silicium conventionnel sont bien connus : pertes par conduction et par commutation réduites, température de fonctionnement plus élevée et fréquence de fonctionnement plus élevée.
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») annonce le lancement de trois nouveaux MOSFET de puissance à canal N de 40 V : le XPMR5904PB, disponible dès maintenant, et les modèles XPMR7404PB et XPMR8504PB, qui seront bientôt disponibles. Ces composants utilisent le nouveau boîtier SOP Advance (EWF) et sont conçus pour les applications automobiles exigeantes
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lance le SSM6L826R, un nouveau MOSFET double 30 V intégrant des MOSFET à canal N et à canal P dans un seul boîtier. Ce produit est idéal pour des applications telles que la commande de moteurs monophasés sans balais à courant continu (BLDC)
ROHM a annoncé que son MOSFET SiC 750 V a été intégré à une unité de secours par batterie (BBU) pour l'alimentation des serveurs d'IA. Face à l'essor de l'IA générative, les systèmes d'alimentation des serveurs d'IA évoluent vers des tensions plus élevées et se tournent rapidement vers les architectures HVDC
Microchip Technology annonce la disponibilité de ses nouveaux modules de puissance 3,3 kV HV-D3 mSiC®, conçus pour faciliter et accélérer l'adoption des transformateurs à semi-conducteurs (SST) dans les centres de données hyperscale d'IA et autres applications d'alimentation haute tension.
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lance deux MOSFET canal N 80 V conformes à la norme AEC-Q101, étendant ainsi sa gamme aux systèmes automobiles 48 V. Les modèles XPH2R608QB et XPH3R908QB sont les premiers produits de la nouvelle génération U-MOSX-H, intégrés dans un boîtier SOP Advance (WF) à flancs mouillables.
Wolfspeed, Inc. a annoncé le lancement du premier MOSFET de puissance SiC 10 kV disponible sur le marché. Ce MOSFET SiC 10 kV établit une nouvelle norme en matière de durabilité et de performance, avec une analyse de durée de vie intrinsèque basée sur la méthode TDDB (Time-Dependent Dielectric Clacking) prévoyant 158 000 ans de fonctionnement sous une tension de polarisation de grille continue de 20 V.
ROHM a développé le dernier composant de sa gamme EcoSiC™ : des MOSFET SiC de 5e génération optimisés pour les applications de puissance à haut rendement. Cette technologie est idéale pour les systèmes de propulsion électrique dans l’industrie automobile, tels que les onduleurs de traction pour véhicules électriques (xEV), ainsi que pour les alimentations des serveurs d’IA et des équipements industriels comme les centres de données.
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») présente le TPHR6704RL, un MOSFET de puissance canal N de 40 V fabriqué selon son procédé U-MOS11-H de pointe. Ce composant est optimisé pour les alimentations à découpage utilisées dans les centres de données, ainsi que pour les équipements industriels tels que les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension à découpage et les contrôleurs de moteurs.
La gamme Agilex 5 d'Altera est désormais disponible chez Mouser Electronics. Les SoC et FPGA Agilex 5 d'Altera offrent une efficacité accrue en matière de traitement en périphérie, de traitement numérique du signal (DSP) et d'intelligence artificielle (IA), grâce à leurs deux cœurs Cortex A76 et Cortex A55 et à la technologie Intel 7.
StarPower enrichit son offre avec des modules demi-pont et pont triphasé de nouvelle génération pour les systèmes d'entraînement électrique. Ces nouvelles solutions, basées sur la dernière génération de puces de l'entreprise, offrent une densité de puissance nettement supérieure, des performances thermiques améliorées et un rapport coût-performance optimisé.
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé deux nouveaux MOSFET de puissance à canal N de 40 V destinés à l’automobile, qui auront un impact significatif sur la conception des véhicules de nouvelle génération. Les modèles XPQR3004PB et XPQ1R004PB utilisent un format de boîtier innovant pour transistors de grande taille….
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») a lancé un MOSFET à canal N à drain commun de 12 V avec un courant nominal de 20 A, destiné à être utilisé dans les circuits de protection des batteries lithium-ion (Li-ion), comme celles couramment utilisées dans les téléphones portables...
Basés sur la nouvelle microarchitecture Skylake, développée avec la technologie de fabrication 14 nm d'Intel, les processeurs Intel Core de 6e génération offrent des performances jusqu'à deux fois et demie supérieures
Renesas Electronics Corporation a annoncé le développement d'une technologie de processeur embarqué permettant d'atteindre des vitesses plus élevées et de réduire la consommation d'énergie des microprocesseurs (MPU) mettant en œuvre une intelligence artificielle de vision avancée. Les technologies développées sont les suivantes :
Kionix, une société du groupe ROHM, annonce le KXTJ3, un nouvel accéléromètre triaxial offrant un rapport qualité-prix sans précédent et délivrant les performances d'un accéléromètre beaucoup plus cher dans un format minuscule de 2 mm x 2 mm x 0,9 mm.
Kionix Inc., qui fait partie du groupe ROHM, a récemment annoncé les premiers accéléromètres triaxiaux ultra-minces et entièrement fonctionnels du secteur, les KX112 (2x2x0,6 mm) et KXCJB (3x3x0,45 mm).
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