Nexperia ha anunciado una asociación integral que cubre los dispositivos semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) con United Automotive Electronic Systems Co. (UAES). El programa se centrará en los sistemas de alimentación para vehículos eléctricos, con el objetivo de desarrollar conjuntamente aplicaciones de automoción con tecnología GaN.

La electrificación de los automóviles, los crecientes requisitos de alta potencia de los equipos de telecomunicaciones para el 5G y el auge de la Industria 4.0 requieren eficiencias de conversión de energía para las que se espera que el GaN se convierta en la tecnología principal. Estas tendencias sustentan la creciente demanda de semiconductores de potencia en 2021 y más allá. La UAES ya ha comenzado a utilizar los FETs de GaN de Nexperia en proyectos de I+D y de colaboración que incluyen cargadores montados en vehículos y convertidores CC-CC de alto voltaje para coches eléctricos. La tecnología GaN de Nexperia tiene unas cifras de rendimiento extremadamente buenas (RDS(on) x QGD) y una carga de recuperación inversa (Qrr) que soportan altas frecuencias de conmutación y una conversión de potencia eficiente. Nexperia produce GaN basándose en técnicas de producción en masa maduras y fiables, en gran parte en sus propias instalaciones de producción mundiales, para fabricar productos de acuerdo con las normas AEC-Q101 de automoción.

UAES proporciona a los fabricantes de automóviles soluciones avanzadas y completas para el sistema de control de la carrocería y el tren motriz. Está especializada en el desarrollo, la producción y la venta de sistemas de gestión de motores de gasolina, sistemas de control de la transmisión, sistemas electrónicos para la carrocería de vehículos y sistemas de control de propulsión híbrida y eléctrica. Sus cinco centros tecnológicos en China cuentan con laboratorios de categoría mundial para el desarrollo de vehículos completos, motores, transmisiones automáticas y sistemas de propulsión eléctrica. El avanzado equipamiento proporciona eficazmente servicios de ingeniería de alta calidad que incluyen el desarrollo de sistemas, el desarrollo de componentes y la calibración para varios fabricantes de automóviles chinos.

Paul Zhang, vicepresidente senior de ventas y marketing y director general de Nexperia en China, comenta "La densidad de potencia y la eficiencia de los transistores de efecto de campo de GaN basados en silicio desempeñarán un papel fundamental en la electrificación de los automóviles. Reconocemos la amplia oferta, la posición en el sector y la base de clientes que tiene la UAES en la industria de la automoción y creemos que nuestra colaboración intensificada en GaN ayudará a ambas empresas a ofrecer soluciones de sistemas de alimentación para vehículos eléctricos más avanzadas y eficientes a nuestros clientes. A principios de este mes, anunciamos un aumento de la producción global y de la inversión en I+D para apoyar plenamente el desarrollo de nuevos productos. Tenemos la intención de ampliar nuestras inversiones y crear conjuntamente un laboratorio para desarrollar aplicaciones de tecnología GaN para automoción."

Un portavoz de la dirección de la UAES afirma: "Estamos encantados de trabajar con Nexperia en el desarrollo de soluciones innovadoras de sistemas de alimentación para vehículos eléctricos basadas en la tecnología GaN. Nexperia es un proveedor líder de semiconductores para aplicaciones de automoción. Esta asociación nos ayudará a reducir el número de dispositivos utilizados, reducir los costes, aumentar la densidad de potencia y aumentar la fiabilidad y la eficacia de todo el sistema."

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