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ROHM y LEADRIVE fundan un laboratorio conjunto para desarrollo de inversores basados en SiC

ROHM y Leadrive Technology (LEADRIVE), el principal fabricante chino de grupos motopropulsores para vehículos de nueva energía con sede central en Shanghai, celebraron una ceremonia de apertura de su laboratorio conjunto para tecnología SiC en la Zona Piloto de Libre Comercio de China (Shanghai) (nueva área de Lingang).

Los dispositivos de potencia de SiC se están adoptando cada vez más en los cargadores de a bordo de los vehículos y en los convertidores CC/CC. Estos dispositivos proporcionan distintas ventajas en comparación con los dispositivos de potencia basados en el silicio, como los IGBT. Un beneficio clave: pérdidas significativamente menores tanto durante la conmutación como en la conducción, además de la capacidad para operar a una temperatura más alta.

Desde 2017, ROHM y LEADRIVE han estado colaborando y realizando intercambios técnicos detallados sobre aplicaciones automovilísticas que utilizan dispositivos de potencia de SiC. La fundación de un laboratorio de investigación conjunta centrado en los módulos de energía e inversores para vehículos utilizando chips sin encapsular (bare chips) de MOSFET de SiC y controladores de compuerta aislados de ROHM dará a ambas empresas la oportunidad de acelerar aún más el desarrollo de soluciones de potencia innovadoras.

«La adopción de módulos de potencia que integren chips de SiC para los vehículos de nueva energía se convertirá en una tendencia de la industria en los próximos años. La comercialización de dispositivos maduros equipados con SiC mediante la recopilación de recursos de todo el mundo y la realización de I+D nos aporta una ventaja competitiva como fabricantes de automóviles de primer nivel», afirma el Dr. Jie Shen, presidente y director general de Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd. «ROHM ha sido un socio potente desde que se fundó LEADRIVE. Este laboratorio de investigación conjunta nos permitirá profundizar en nuestra colaboración», continúa el Dr. Shen.

«Como pionero y proveedor líder de dispositivos de potencia de SiC, ROHM tiene un historial acreditado como proveedor de soluciones de alimentación y potencia de alta calidad que combinan la tecnología de dispositivos líderes en la industria con circuitos integrados de controladores, y estamos comprometidos con la promoción del uso del SiC para aplicaciones xEV», añade el Dr. Kazuhide Ino, miembro de la Junta Directiva, director corporativo, CSO y director senior de la división de dispositivos de potencia en ROHM Co., Ltd. «Comprender las necesidades de los clientes y las tendencias del mercado es extremadamente importante a la hora de desarrollar la tecnología de dispositivos de potencia de SiC. LEADRIVE juega un papel importante en la investigación aplicada del SiC como fabricante de módulos de potencia e inversores para la automoción. A través de este laboratorio de investigación conjunta, podemos fortalecer nuestra asociación y contribuir a la innovación técnica de soluciones de potencia para la automoción centradas en el SiC», concluye el Dr. Ino.

Terminología de un vistazo:


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, transistor bipolar de puerta aislada)
Un transistor de potencia que combina las características de conmutación de alta velocidad de un MOSFET con la baja pérdida por conducción de un transistor bipolar.

Pérdidas por conmutación y conducción
Las pérdidas se producen inevitablemente en transistores como los MOSFET y los IGBT debido a su particular estructura de dispositivos. La pérdida de conmutación se produce cuando se conmuta el estado de conducción del dispositivo (durante la operación de conmutación). La pérdida de conducción es generada por el componente de resistencia interna cuando la corriente fluye (estado ON) a través del dispositivo.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, transistor de efecto de campo de material semiconductor de óxido metálico)
La estructura más comúnmente utilizada en los FET. A menudo se adoptan como elementos de conmutación.

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