Mitsubishi Electric ha presentado un nuevo circuito integrado de alta tensión de 600 V (HVIC), el M81729JFP, para su uso en convertidores de tensión de vehículos eléctricos (VE) y vehículos eléctricos híbridos (VEH). Los VEs y VEHs utilizan convertidores de tensión incorporados con dispositivos de potencia para convertir la corriente de alta tensión, que se utiliza de otro modo en los motores de potencia, en corriente de baja tensión para alimentar diversos equipos del vehículo.
Mitsubishi Electric ha presentado su sexta generación de módulos MPD (Mega Power Dual) IGBT. Los módulos, que son para su uso en convertidores de potencia como sistemas de gran capacidad fotovoltaica y eólicos de generación de energía, también son adecuados para otras aplicaciones de alta potencia, por ejemplo, en las áreas de Sistema de Alimentación Ininterrumpida (SAI) y control de motor de corriente alterna.
ROHM Semiconductor ha anunciado la producción en masa de los módulos de potencia SiC (1200V/100A nominal) totalmente compuestos por elementos de potencia SiC y que permiten el funcionamiento de alta frecuencia por encima de 100 kHz. Así, la compañía es ahora capaz de ofrecer dispositivos SiC, como los diodos de barrera Schottky (SBD) y MOSFETs, así como una completa solución módulo SiC. Debido a la experiencia de SiCrystal AG, que forma parte del grupo, ROHM posee la capacidad total de fabricación de semiconductores SiC
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