Nexperia ha presentado las últimas incorporaciones a su creciente cartera de MOSFET específicos para aplicaciones (ASFET), cuyas características se han ajustado para satisfacer los requisitos de aplicaciones finales específicas. Los interruptores PSMN1R9-80SSJ de 80 V y PSMN2R3-100SSJ de 100 V se han diseñado para proporcionar un mejor reparto dinámico de la corriente en aplicaciones de alta potencia de 48 V que requieren el uso de varios MOSFET estrechamente adaptados conectados en paralelo.

Entre ellas se incluyen los motores de vehículos eléctricos como carretillas elevadoras, patinetes eléctricos y dispositivos de movilidad, así como motores industriales de alta potencia.

Al conectar dos o más MOSFET en paralelo para soportar una alta capacidad de corriente y reducir las pérdidas por conducción, puede resultar difícil para los diseñadores garantizar que la corriente de carga se comparta por igual entre los dispositivos individuales durante el encendido y el apagado. Los MOSFET con el VGS(th) más bajo se encenderán primero, lo que provocará un mayor estrés térmico y acelerará el fallo. Para proporcionar un margen de seguridad suficiente, los ingenieros suelen sobredimensionar los MOSFET utilizados en sus aplicaciones finales. Este enfoque, costoso y que requiere mucho tiempo, a menudo exige pruebas adicionales, pero sigue sin ofrecer garantías sobre el comportamiento de los dispositivos con corrientes de carga más altas (decenas de amperios). Un enfoque alternativo consiste en solicitar a los proveedores dispositivos que se ajusten estrictamente a las especificaciones, pero esto puede aumentar aún más el coste de la aplicación final.

Las características de los ASFET PSMN1R9-80SSJ y PSMN2R3-100SSJ de Nexperia eliminan la necesidad de que los diseñadores adopten cualquiera de estos enfoques, ya que proporcionan un mejor reparto dinámico de la corriente. Estos interruptores ofrecen una diferencia de corriente un 50 % menor entre dispositivos paralelos (para corrientes de hasta 50 A por dispositivo) al encenderse/apagarse y también ofrecen una Ventana VGS(th) hasta un 50 % menor (0,6 V mín.-máx.). Esta ventaja, combinada con la baja RDS(on) de 1,9 mΩ o 2,3 mΩ, ayuda a proporcionar una alta eficiencia en aplicaciones de conmutación de potencia.

Los nuevos dispositivos ASFET están disponibles en el resistente y compacto encapsulado LFPAK88 de 8 mm x 8 mm con clip de cobre, y ofrecen una temperatura de funcionamiento que oscila entre -55 °C y +175 °C.

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