Con ocasión del SPS IPC Drives en Nuremberg, ROHM Semiconductor presentará sus últimos módulos de potencia para la conmutación de alta fiabilidad y de alta velocidad, así como control MOSFET SiC.

Todos los dispositivos no sólo ofrecen características de gestión de energía optimizada, sino también innovadoras y de diseño de encapsulado compacto que se adaptan a las necesidades de una amplia gama de aplicaciones, por ejemplo, grandes fuentes de alimentación, inversores, equipos industriales, servidores y otros.

Destacados

Completos módulos de potencia SiC 1200V/300A
El nuevo BSM300D12P2E001 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta potencia, tales como fuentes de alimentación de gran capacidad para equipos industriales debido a su 300A de corriente nominal. Además, un 77% de pérdida de conmutación menor vs. módulos IGBT convencionales, que permite un funcionamiento de alta frecuencia, lo que contribuye a las contramedidas de refrigeración más pequeñas y componentes periféricos. ROHM incluye un nuevo diseño de encapsulado que es capaz de minimizar el impacto de los picos de tensión durante la conmutación. Una estructura original de mitigación del campo eléctrico, junto con un nuevo método de cribado, se utiliza para proporcionar una alta fiabilidad, por lo que es un reemplazo perfecto para los módulos IGBT con mayor máximo de ratio de corriente. El nuevo dispositivo complementa la gama de módulos de potencia SiC completos existente con 1200V / 120A (MOSFET y SBD incluido) respectivamente 1200V / 180A (sólo MOSFET) que ya ha visto una mayor adopción en los sectores industriales y de potencia.

IGBT-IPMs (Módulos de potencia inteligentes)
La nueva familia de IPMs (módulos de potencia inteligente) para control de motores eficientes y de aplicaciones de inversor incluye módulos basados en IGBT optimizados para el funcionamiento a baja o alta velocidad, así como IPMs basados en MOSFET que incorporan la tecnología patentada Low Ron SuperJunction MOSFET (PrestoMOS™) de ROHM, dentro de un encapsualdo compacto HSDIP25. Esto ofrece a los desarrolladores de productos de línea blanca y motores de industria, una solución altamente fiable y una multitud de opciones de diseño rentables. Los nuevos dispositivos reducen significativamente la pérdida de potencia en cargas ligeras y pesadas, a la vez que incrementan la capacidad de potencia. La línea completa contiene versiones de 10A, 15A y 20A de 600V IPMs-IGBT, las versiones de 30A están en desarrollo.

CIs de control de convertidor AC/DC para MOSFETs SiC
El BD7682FJ-LB permite una fácil implementación de MOSFET-SiCs a un convertidor AC/DC superarando el reto de configuraciones discretas. Proporciona una solución altamente integrada y crea nuevos estándares para el ahorro de energía y la miniaturización, a la vez que apoya la adopción de semiconductores de potencia SiC. En comparación con MOSFETs de silicio utilizados en los convertidores AC/DC convencionales, los MOSFETs SiC permiten a los convertidores AC/DC con una mejora de la eficiencia de potencia de hasta 6%. Por otra parte, no se requieren componentes utilizados para la disipación de calor (fuentes de alimentación de la case 50W), lo que lleva a una mayor compacidad. La especificación de BD7682FJ-LB también incluye múltiples funciones de protección que permiten el soporte de altas tensiones hasta 690Vac, haciéndolos ideales para equipos industriales en general, mientras que mejora la fiabilidad.

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