Tel.: +34 91 706 56 69
Poema Sinfónico, 27. Esc B. Planta 1 Pta 5
28054 (Madrid - SPAIN)
e-mail: gm2@gm2publicacionestecnicas.com ó consultas@convertronic.net
ROHM lanza una gama de 24 modelos de MOSFETs de canal P con tensiones no disruptivas de -40 V/-60 V y entrada de 24 V, disponibles tanto en configuraciones simples (RQxxxxxAT/ RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT) como duales (UTxxx5/ QHxxx5/SHxxx5): la opción ideal para aplicaciones industriales y de consumo en sectores como el de la automatización de fábricas, la robótica y los sistemas de aire acondicionado.
En los últimos años, la demanda de mayor eficiencia y densidad de potencia está impulsando la adopción de mayores tensiones de entrada en las aplicaciones industriales y de consumo, y exigiendo a la vez a los MOSFET no solo una baja resistencia en conducción, sino también altas tensiones no disruptivas.
Existen dos tipos de MOSFET: de canal N y canal P. Aunque los tipos de canal N generalmente presentan una mayor eficiencia cuando se usan en el lado alto, se necesita una tensión de puerta más alta que la tensión de entrada, lo que complica la configuración del circuito. Por otro lado, los MOSFET del canal P pueden accionarse con una tensión de puerta inferior a la tensión de entrada, simplificando así considerablemente la configuración del circuito y reduciendo a la vez la carga de diseño.
En este contexto, ROHM ha desarrollado los MOSFET de canal P de baja resistencia en conducción de -40 V/-60 V compatibles con entrada de 24 V y que utilizan un avanzado y mejorado proceso de 5ª generación. Basados en la estructura de MOSFET de canal P de ROHM, plenamente acreditada en el mercado, estos nuevos productos aprovechan la tecnología de proceso mejorado para lograr la menor resistencia en conducción por unidad de área en su categoría. Esto se traduce en un 62 % menos de resistencia en conducción frente a los productos convencionales para los nuevos productos de -40 V y un 52 % para los nuevos productos de -60 V.
Al mismo tiempo, se mejora la calidad optimizando la estructura del dispositivo y adoptando un nuevo diseño que mitiga la concentración del campo eléctrico. Como resultado, se consigue una alta fiabilidad y una baja resistencia en conducción (que normalmente están en una relación de compensación). Estas soluciones contribuyen a un funcionamiento estable a largo plazo en equipos industriales que exigen una calidad excepcional.
ROHM continúa desarrollando una serie de encapsulados para una amplia gama de aplicaciones, incluyendo productos optimizados para el sector de la automoción. Además de estos MOSFET de canal P de 5ª generación, estamos desarrollando MOSFETs de canal N de mayor eficiencia para reforzar nuestra gama para estaciones base y servidores de centros de datos 5G, donde la demanda continúa al alza. Estos productos contribuyen a reducir la carga de diseño de las aplicaciones y a aumentar la eficiencia y la fiabilidad.
Gama de productos
Disponibilidad: en la producción en masa
Ejemplos de aplicación
- Interruptores de gestión de energía y motores de ventiladores para equipos industriales, por ejemplo, en automatización de fábricas, robótica y sistemas de aire acondicionado.
- Interruptores de gestión de energía y motores de ventiladores para equipos de consumo a gran escala
Suscripción papel: 180,00.- € (IVA inc.)
Suscripción PDF: 60,00.- € (IVA inc)
Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanzado dos dispositivos MOSFET de potencia de canal N para automoción con el fin de satisfacer la creciente...
Mouser ya tiene en stock el sensor de presión MEMS Triphibian™ MLX90830 de Melexis. Con un diseño en voladizo, el MLX90830 mide la presión de gases...
Mouser ya distribuye el hub deserializador V3Link™ TDES9640 de Texas Instruments. El hub deserializador V3Link TDES9640 conecta hasta 4 sensores de...
ROHM ha desarrollado reguladores LDO primarios con corriente de salida 500 mA y clasificación de 45 V: BD9xxM5-C (BD933M5EFJ-C / BD950M5EFJ-C /...
Suscríbete a nuestro boletín de noticias