El dispositivo, que mide elevadas corrientes (10-100A) mediante un MOSFET o IGBT de potencia, suele necesitar una resistencia de gran tamaño que genera pérdidas de potencia en exceso (10~30W). La extracción de la tensión a lo largo de la Rds(on) interna de un MOSFET de potencia o la VCE(on) de un IGBT durante el tiempo en conducción del interruptor permite al IR25750 eliminar las resistencias y disipadores externos de gran tamaño para sensado de corriente, así como las pérdidas de potencia en exceso.
 
La entrada de gobierno de puerta del IR25750 proporciona la tensión de alimentación VCC al CI y sincroniza el circuito de sensado de Rds(on) o VCE(on) a los tiempos de conexión y corte del MOSFET o el IGBT. El dispositivo, que aprovecha la tecnología de alta tensión desarrollada por la propia IR, también se caracteriza por una capacidad de bloqueo de 600V necesaria para bloquear elevadas tensiones VDS o VCE durante el tiempo de conmutación a corte. Otras funciones importantes son una baja capacidad de entrada de puerta, retardo de filtro interno en el paso a conducción (200 ns típico) y zener de bloqueo 20,8 V internos en las patillas GATE y CS.
 
El nuevo CI de sensado de corriente es un nuevo bloque funcional que utiliza la Rds(on) de un MOSFET de potencia o la VCE(on) de un IGBT para medir la corriente, eliminando así la necesidad de resistencias externas de sensado de corriente. Estas características permiten obtener un gran aumento de la eficiencia y un enorme ahorro de espacio en aplicaciones de alta corriente, como electrónica de potencia en modo conmutado, control de motores y equipamiento industrial.
 
El IR25750, que integra ESD y una excelente inmunidad al bloqueo en todas las entradas y salidas para una robusta protección monolítica, está homologado para el entorno industrial y con sensibilidad a la humedad de nivel 1 (MSL1).

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