Los dispositivos se fabrican en un proceso CMOS de 180 nm que utiliza técnicas patentadas de refuerzo contra la radiación, lo que permite una alta resiliencia a efectos de un solo evento (SEE) y a una dosis ionizante total (TID) de hasta 30 krad (Si). Estas características los hacen ideales para pequeños satélites y constelaciones LEO que requieren un alto rendimiento, un factor de forma reducido y resiliencia ante la radiación a un menor coste, así como otras aplicaciones en las que la resiliencia ante la radiación es vital, como las imágenes médicas. Los árbitros de entrada dual reforzados contra la radiación AP54RHC288 protegen las aplicaciones críticas al garantizar que solo una salida sea alta en cada canal, independientemente del estado de la señal en las entradas.
Las puertas XOR cuádruples de 2 entradas reforzadas contra la radiación AP54RHC86 cuentan con redundancia triple incorporada para ofrecer una mayor fiabilidad y conversión descendente de nivel lógico a VCC. El inversor hexagonal reforzado contra la radiación AP54RHC04, disponible bajo pedido, cuenta con una capacidad patentada de ahorro de frío con cero penalización de energía estática y redundancia triple incorporada para proporcionar una mayor fiabilidad. Los registros de desplazamiento de entrada en paralelo y salida en serie (SIPO) reforzados contra la radiación AP54RHC164 incluyen una etapa de salida patentada que permite configuraciones que ahorran frío, ya que evita una penalización por corriente de fuga en las entradas y salidas mientras están en estado apagado. Estos dispositivos también son adecuados para aplicaciones aeroespaciales, de energía, y otras aplicaciones con entornos hostiles.
