Integrando chips de alto rendimiento en un encapsulado SOT-25 estándar de la industria, los nuevos circuitos integrados de Toshiba combinan calificaciones ON-resistance hasta justo 63 mΩ y bajas corrientes quiescentes típicas de 110NA con baja pérdida, baja corriente en reposo y características de conmutación de alto rendimiento.
Fabricado usando un proceso CMOS de Toshiba que combina un transistor de salida y un controlador de salida, los nuevos CI conmutadores de carga monochip proporcionan una huella más pequeña que los conmutadores compuestos por múltiples componentes discretos. Esto los hace muy adecuados para aplicaciones en espacios limitados críticos. Los TCK106AF, TCK107AF y TCK108AF ayudan a reducir el consumo de energía en dispositivos tales como tabletas industriales, módulos M2M y otros equipos accionados por baterías portátiles.
De forma adicional, con controladores integrados de velocidad de respuesta y los MOSFETs P-ch y MOSFETs N-ch de baja ON-resistance. Los Cis conmutadores de carga de Toshiba reducen el consumo de energía del sistema a través de la distribución de alimentación o el control de la fuente de alimentación para cada bloque de función. Los nuevos productos permiten la conmutación de carga de baja fuga, mientras se mantiene una baja ON-resistance. Los tres circuitos integrados están alojados en un encapsulado de propósito general SOT con medidas de 2,9 mm × 2,8 mm x 1,1 mm.
