La serie RGWxx65C utiliza los diodos de barrera Schottky de SiC de bajas pérdidas de ROHM en el bloque de retroalimentación del IGBT como diodo de circulación libre que casi no tiene energía de recuperación y, por lo tanto, con una pérdida de conmutación del diodo mínima. Además, puesto que la corriente de recuperación no tiene que ser manejada por el IGBT en el modo de encendido, la pérdida de encendido del IGBT se reduce significativamente. Ambos efectos dan como resultado una pérdida hasta un 67% menor que la de los IGBT convencionales y un 24% menor que la de los MOSFET de superconexión (MOSFET SJ) cuando se utilizan en cargadores de vehículos. Este efecto proporciona un buen rendimiento de los costes, al tiempo que contribuye a un menor consumo de energía en aplicaciones industriales y de automoción.
En los últimos años, los esfuerzos mundiales por reducir la carga ambiental y lograr una sociedad neutra en carbono y descarbonizada han impulsado un crecimiento espectacular de los vehículos electrificados (xEV). Al mismo tiempo, está en marcha la diversificación de los semiconductores de potencia utilizados en diversos circuitos de inversores y convertidores de vehículos, necesaria para configurar sistemas más eficientes, además de la innovación tecnológica tanto de los dispositivos de potencia de SiC de pérdidas ultrabajas (por ejemplo, MOSFET de SiC y SBD de SiC) como de los dispositivos de potencia de silicio convencionales (por ejemplo, IGBT y MOSFET de superconexión).
Con el fin de ofrecer soluciones de potencia eficaces para una amplia gama de aplicaciones, ROHM se centra no solo en el desarrollo de productos y tecnologías para dispositivos de potencia de SiC líderes en la industria, sino también para productos de silicio y circuitos integrados de controladores.
Disponibilidad: marzo de 2021 (muestras), diciembre de 2021 (en producción en masa)
Ejemplos de aplicación
Cargadores para automóviles (cargadores de a bordo)
Convertidores CC/CC para vehículos
Inversores de energía solar (acondicionadores de energía)
Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
Gama de productos IGBT híbridos [serie RGWxx65C]
Además de estos novedosos IGBT híbridos, ofrecemos productos que utilizan FRDs de silicio como diodo de circulación libre, así como productos sin diodo de circulación libre.
Materiales de apoyo al diseño
En el sitio web de ROHM también encontrará una amplia gama de datos de diseño, incluidos modelos de simulación (SPICE) y notas de aplicación sobre el diseño de los circuitos de accionamiento, necesarios para la integración y la evaluación que ayudan a una rápida introducción en el mercado.
