Circuitos integrados

MOSFET DE SiC: CIs de controladores de compuerta para aplicaciones industriales y de automoción

Los semiconductores WBG ya no son cosa del futuro: los MOSFET de SiC, por ejemplo, prometen ventajas en aplicaciones versátiles, desde cargadores de a bordo y convertidores CC/CC en automoción hasta aplicaciones industriales como sistemas fotovoltaicos, sistemas de alimentación ininterrumpida, etc.

ROHM Semiconductor ofrece una amplia gama de MOSFET de SiC para todas estas aplicaciones. Pero elegir el MOSFET de SiC adecuado no es suficiente: también es necesario utilizar el CI de controlador de compuerta apropiado. El BM61S40RFV-C y el BM61S41RFV-C, por ejemplo, proporcionan una tensión de aislamiento de 3750 Vrms, un tiempo de retardo de E/S de 65 ns y una anchura de impulsos de entrada mínima de 60 ns. Con funciones de protección integradas como la función Miller Clamp y la función de bloqueo por baja tensión (UVLO, por su sigla en inglés), los circuitos integrados (CI) son adecuados para controlar todos los MOSFET de SiC de ROHM. Como alternativa, los CI de controladores de compuerta (Gate drivers) también pueden utilizarse para controlar los MOSFET de Si y los IGBT de Si «tradicionales».

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