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FETs de GaN de 650 V para fuentes de alimentación de clase 80 PLUS ® Titanium a partir de 2 kW

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Nexperia anuncia la disponibilidad en volumen de su familia de dispositivos FET GaN de potencia de 650 V de segunda generación, que ofrece importantes ventajas de rendimiento con respecto a las tecnologías anteriores y a los dispositivos de la competencia. Con un rendimiento RDS(on) de hasta 35 mΩ (típico), los nuevos FETs de GaN de potencia se dirigen a fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) industriales monofásicas AC/DC y DC/DC, de entre 2 kW y 10 kW, especialmente a fuentes de servidores y telecomunicaciones que deben cumplir la normativa de eficiencia 80 PLUS® Titanium. Los dispositivos también se adaptan perfectamente a los inversores solares y a los servoaccionamientos en el mismo rango de potencia.
Disponibles en encapsulado TO-247, los nuevos FETs de GaN de potencia 650V H2 ofrecen una reducción del 36% del tamaño para un valor RDS(on) determinado, lo que mejora la estabilidad y la eficiencia.

La configuración en cascada elimina la necesidad de complicados controladores, lo que acelera el tiempo de comercialización. Los dispositivos ofrecen un rendimiento extraordinario tanto en configuraciones de conmutación dura como de conmutación suave, ofreciendo a los diseñadores la máxima flexibilidad.
Dilder Chowdhury, Director de Marketing Estratégico de GaN de Nexperia, explica: "Titanium es la más exigente de las especificaciones 80 PLUS®, ya que requiere una eficiencia de >91% en condiciones de carga completa (>96% al 50% de carga). Alcanzar este nivel de rendimiento en aplicaciones de potencia de servidor que operan a 2 kW y más, utilizando componentes de silicio convencionales, es complejo y desafiante. Los nuevos FETs de potencia de GaN de Nexperia se adaptan perfectamente a una elegante configuración de polo totem sin puentes que utiliza menos componentes y reduce tanto el tamaño físico como los costes".
Los FETs de GaN GAN041-650WSB de Nexperia ya están disponibles en gran volumen.


Hojas de datos del producto y vídeos de aprendizaje rápido
Los diseñadores pueden ver los FETs de GaN de Nexperia en acción visitando el stand de Nexperia en los PCIM Digital Days del 3 al 7 de mayo

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