Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha añadido otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de 650 V superjunction (super unión) de canal N para ampliar su serie DTMOSVI. Los nuevos dispositivos se basan en el éxito de los dispositivos actuales y se utilizarán principalmente en aplicaciones como fuentes de alimentación industriales y de iluminación y otras aplicaciones en las que se necesita la máxima eficiencia en un factor de forma pequeño.

Los nuevos MOSFETs TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z y TK190E65Z consiguen una reducción del 40% en la figura de mérito (FoM) de resistencia de drenaje-fuente (R_DSON) x carga de drenaje-puerta (Q_gd) en comparación con la generación anterior de DTMOS. Esto se traduce en una reducción sustancial de las pérdidas de conmutación con respecto a los dispositivos anteriores.  En consecuencia, los diseños que incorporen los nuevos dispositivos experimentarán un aumento de la eficiencia. La mejora del rendimiento se aplicará tanto a los nuevos diseños como a las actualizaciones de los existentes.
 
Los cuatro nuevos dispositivos ofrecen una tensión de drenaje-fuente (V_DSS) de 650 V con una capacidad de corriente de drenaje (I_D) de hasta 30 A. La resistencia de activación de la fuente de drenaje (R_DSON) es tan baja como 0,09 y la carga de drenaje de la puerta (Q_gd) puede ser tan baja como 7,1 nC, lo que permite un funcionamiento de bajas pérdidas a altas velocidades. Todos los dispositivos se presentan en encapsulado de orificio pasante TO-220 estándar del sector.
 
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