Cambridge GaN Devices (CGD) ha anunciado hoy que Inventchip, proveedor líder de dispositivos de potencia SiC y soluciones CI con sede en Shanghái, ha demostrado con éxito un diseño de referencia de PFC totem pole CCM de 2,5 kW basado en GaN utilizando los circuitos integrados de nitruro de galio ICeGaN® de CGD. Una característica clave es su facilidad de uso. Los circuitos integrados ICeGaN integran circuitos de interfaz y protección en el mismo chip de GaN que el HEMT.

Por lo tanto, se puede utilizar cualquier circuito integrado controlador estándar. El circuito integrado controlador PFC totem pole IVCC1104 de Inventchip también es fácil de usar y no requiere programación. Ofrece un control optimizado del paso por cero de CA, un bajo THD y una alta robustez frente a las perturbaciones de CA.

DI CHEN | DIRECTOR DE MARKETING TÉCNICO Y DESARROLLO COMERCIAL, CGD

"Inventchip contaba con un diseño de referencia TPPFC de 2,5 kW basado en su controlador y controladores de puerta que utilizaban MOSFET de SiC en encapsulado TO-247. Para evaluar el rendimiento del GaN, Inventchip diseñó una placa adaptadora TO-247 utilizando nuestros circuitos integrados P2 25 mΩ ICeGaN, y el diseño ICeGaN funciona perfectamente sin necesidad de modificar los circuitos. Se ha demostrado que el ICeGaN puede acortar significativamente la curva de aprendizaje y permitir a los ingenieros lanzar nuevos productos al mercado con mayor rapidez".

DR. ZHONG YE | DIRECTOR TÉCNICO, INVENTCHIP

«Al utilizar una placa adaptadora TO247-4 para soldar un dispositivo ICeGaN encapsulado en DFN para una prueba rápida en nuestro EVM, a pesar de la ruta de control de la puerta relativamente larga y la traza de alimentación de control ampliada, la placa se encendió correctamente a la primera con una forma de onda de conmutación limpia. No se observaron anomalías ni disparos espontáneos desde condiciones sin carga hasta condiciones de plena carga. El rendimiento del GaN es muy impresionante. El dispositivo CGD GaN ha demostrado ser muy inmune al ruido, fácil de usar y altamente eficiente».

Tras demostrar su eficiencia y densidad de potencia en diseños de cargadores de baja potencia, el GaN está siendo adoptado por fabricantes de fuentes de alimentación para servidores y centros de datos, inversores, convertidores CC/CC industriales y controladores LED. Se espera que pronto los inversores para vehículos eléctricos de más de 100 kW también pasen a utilizar GaN. La tecnología ICeGaN es especialmente adecuada para niveles de potencia más altos debido a su fiabilidad y robustez probadas.

Más información