MOSFET de potencia de canal N de 100 V basado en el proceso U-MOS11-H
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») ha lanzado el TPH2R70AR5, un nuevo MOSFET de potencia de canal N con una tensión nominal de 100 V fabricado con su proceso de última generación, conocido como U-MOS11-H. El MOSFET se utilizará principalmente en aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), en particular en convertidores CC-CC de alta eficiencia.
Los sectores de aplicación clave serán los centros de datos, las estaciones base de comunicaciones y otros equipos industriales de alta gama.
Gracias al avanzado proceso U-MOS11-H de 100 V, el TPH2R70AR5 ofrece importantes ventajas de rendimiento con respecto a los dispositivos fabricados con el proceso U-MOSX-H existente. Por ejemplo, en comparación con el anterior TPH3R10AQM, la resistencia de drenaje-fuente (RDS(ON)) se ha reducido en torno al 8 % hasta solo 2,7 mΩ (max.) mientras que la carga de drenaje de puerta (Qg) es ahora un 37 % con 52 nC (típ.). Por lo tanto la figura de mérito (FoM) RDS(ON) x Qg mejora en un 42 %.
Además, el TPH2R70AR5 alcanza un rendimiento de diodo de cuerpo de alta velocidad mediante la aplicación de la tecnología de control de vida útil. Como resultado, en comparación con el TPH3R10AQM, se mejora la velocidad de conmutación y, además, se reducen el tiempo de recuperación del diodo y el ruido. La tecnología de control de la vida útil también reduce la carga de recuperación inversa (Qrr) a 55 nC (típ.) y suprime los pricos de tensión. La FoM RDS(ON) x Qrr mejora en un 43 %.
Las destacadas características RDS(ON), Qg, y Qrr reducen tanto las pérdidas de conducción como las de conmutación, lo que contribuye a una mayor eficiencia en aplicaciones relacionadas con la energía. Esto reduce el coste operativo y permite una mayor densidad de potencia. Alojado en el encapsulado SOP Advance (N) que mide solo 5,15 mm x 6,1 mm, el dispositivo ofrece una excelente compatibilidad de montaje con los estándares de la industria.
El nuevo TPH2R70AR5 está clasificado para una corriente de drenaje máxima (ID) de 190 A a una temperature ambiente de 25 °C. El dispositivo es capaz de funcionar con una temperatura de canal (Tch) de hasta 175 °C, lo que reduce la necesidad de medidas de refrigeración.
Toshiba también ofrece herramientas de soporte al diseño de circuitos: el modelo G0 SPICE, que verifica el funcionamiento del circuito en poco tiempo, y los modelos G2 SPICE, de gran precisión, que reproducen con exactitud las características transitorias. Todas las herramientas de soporte están ahora disponibles mediante descarga gratuita desde la web de Toshiba.
Articulos Electrónica Relacionados
- Solución System Basis Chip CAN... El auge de las aplicaciones conectadas en los mercados de la automoción y la industria está impulsando la demanda de soluciones de conectividad por cable con ma...
- Software de controladores de d... Renesas Electronics Corporation ha presentado un módulo de software de controlador de dispositivos complejos (CDD) compatible con AUTOSAR para los diseñadores d...
- Drivers para el control de mot... Toshiba Electronics Europe presenta cinco nuevos drivers de nueva generación para el control de motores paso a paso. Los nuevos drivers están diseñados basándos...
- Dispositivos relocker/redriver... El bus USB (universal serial bus) estándar o conexión USB es un pilar de la industria que se encarga de transferir datos entre dos dispositivos. El mayor grado ...
- SoC EtherCAT® de comunicación ... Renesas Electronics Europe ha anunciado un SoC (System on Chip) EtherCAT® de comunicación de bajo coste que ayuda a aumentar la eficiencia de producc...
- Los diodos láser de Oclaro per... Oclaro, Inc. ha anunciado que sus diodos de láser se han diseñado, por primera vez en la industria, en sistemas láser de diodo de fibra directo acoplado de 15 k...
- System-on-Chip R-Car V3H para ... Con la rápida mejora de los sistemas avanzados de asistencia en la conducción (ADAS) y las tecnologías de conducción automatizadas, ...
- EBV Elektronik, Infineon y Dat... EBV Elektronik, una compañía de Avnet, está colaborando con Infineon Technologies AG y Data I / O para habilitar soluciones de autenticaci&...
- Nueva línea de LDOs diseñada p... ROHM ha anunciado recientemente el desarrollo de una nueva línea de 16 modelos de LDOs optimizados para MCUs de fuentes de alimentación en los sistemas internos...
- AD8233 AFE para wearables / ve... Mouser Electronics, Inc., el distribuidor líder en la introducción de productos nuevos (NPI), con la más amplia selección de semicon...
- MOSFET MXT de 80 V con encapsu... Magnachip Semiconductor Corporation ha anunciado hoy el lanzamiento de un nuevo MOSFET MXT MV de 80 V, el MDLT080N017RH, con encapsulado TOLT (TO-Leaded Top-Sid...
- Módulos de potencia de SiC 4 e... ROHM ha desarrollado los nuevos módulos moldeados de SiC 4 en 1 y 6 en 1 en el encapsulado HSDIP20 optimizados para convertidores PFC y LLC en cargadores de a b...


