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El compacto inductor de montaje superficial (SMD) con blindaje magnético se aplica a convertidores conmutados de alta frecuencia con las nuevas tecnologías de transistores GaN y SiC.
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ROHM ha creado VCSELED™, una nueva tecnología de fuente de luz infrarroja que encapsula un elemento VCSEL (láser emisor de superficie de cavidad vertical) en un material de difusión óptica de resina para luz láser. En la actualidad, ROHM está desarrollando esta tecnología para comercializarla como fuente de luz para mejorar los sistemas de monitorización del conductor (DMS) y los sistemas de monitorización en cabina (IMS) de los vehículos.
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La DLA (Defense Logistics Agency) gestiona la cadena global de suministro de defensa en EE.UU. y trabaja con los suministradores para garantizar la alta fiabilidad de todos los componentes incorporados a una aplicación final. Dentro del proceso de fabricación de los componentes diseñados para aplicaciones militares se realizan pruebas rigurosas a las que se añade el cumplimiento de las normas para que formen parte de la QPL (Quality Products List), una lista que garantiza un cierto nivel de fiabilidad y agiliza el proceso de suministro.
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Murata presenta un avance significativo en el campo de los componentes electrónicos con el lanzamiento de su innovador transformador de cancelación L (LCT). Este producto es el primero de su clase y puede neutralizar la inductancia en serie equivalente (ESL) de un condensador, optimizando sus capacidades de reducción de ruido. Utilizando la tecnología multicapa cerámica de Murata, esta solución permite a los ingenieros reducir el ruido del sistema a la vez que disminuyen los costes y el número de componentes.
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Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado un nuevo fotoacoplador fotovoltaico de salida con una tensión de circuito abierto mejorada. El nuevo dispositivo está pensado principalmente para su uso en aplicaciones de relés de estado sólido (SSR) en automoción. Sin embargo, también puede utilizarse en aplicaciones industriales, como las energías renovables.
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Toshiba Electronics Europe GmbH anuncia el lanzamiento de doce diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de 650 V basados en su última tecnología de 3ª generación. Los nuevos dispositivos están diseñados para su uso en aplicaciones de equipos industriales de eficiencia crítica, como fuentes de alimentación conmutadas, estaciones de carga de vehículos eléctricos e inversores fotovoltaicos.
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ROHM ha desarrollado su 4.ª generación de diodos de recuperación rápida (FRD, por sus siglas en inglés) de 650 V, la serie RFL/RFS, que se caracteriza por su baja tensión directa (VF) y su rápido tiempo de recuperación inversa (trr), así como por sus características de ruido ultrabajo. Los nuevos dispositivos son ideales para equipos industriales y de consumo que funcionan con grandes cantidades de energía, como los aires acondicionados y las estaciones de carga de vehículos eléctricos.
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ROHM ha añadido 14 nuevos modelos a su gama de encapsulados PMDE (2,5 mm × 1,3 mm), que cumplen los requisitos de los circuitos de protección y conmutación más pequeños. (Serie RBxx8, serie RFN, serie VS). Los diodos se utilizan para los circuitos de rectificación, protección y conmutación en una amplia gama de aplicaciones y sectores, entre los que se incluyen la automoción, la industria y el consumo. Además, cada vez es más necesario reducir el tamaño de los encapsulados para minimizar el área de montaje.
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El fabricante Würth Elektronik ha ampliado su gama de productos de optoelectrónica con optoacopladores en todos los encapsulados y valores CTR (Current Transfer Ratio) habituales. Se incluye así la serie WL-OCPT, con optoacopladores de fototransistores en los tamaños DIP-4, SOP-4 y LSOP-4. La serie de optoacopladores Darlington WL-OCDA está disponible en DIP-4 y SOP-4. Así mismo están disponibles en diversas opciones según el perfil de los pines.
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Nexperia ha anunciado una amplia gama de diodos reguladores de tensión de baja corriente. La gama de diodos Zener de 50 µA está disponible en tres opciones diferentes de encapsulado para montaje en superficie (SMD), en un encapsulado ultra-pequeño DFN (Discretes Flat No-leads) y en componentes calificados AEC-Q101, lo que proporciona lo último en opciones y flexibilidad para el cliente.
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Nexperia ha anunciado su entrada en el mercado de diodos de carburo de silicio (SiC) de alta potencia con la introducción de diodos Schottky de SiC de 650 V y 10 A. Se trata de un movimiento estratégico para Nexperia, que ya es un proveedor de confianza de FETs de Nitruro de Galio (GaN) de potencia eficiente, para ampliar su oferta de dispositivos semiconductores de banda ancha de alto voltaje.
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ROHM ha ampliado su cartera de diodos de barrera Schottky con 24 nuevos modelos compactos de alta eficiencia (12 series RBR y 12 series RBQ). Estos dispositivos —178 en total— son ideales para los circuitos de protección y rectificación en automoción, equipos industriales y aplicaciones de consumo.
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