Farnell se ha asociado con Littelfuse con el fin de ofrecer a los clientes un recurso integral para todos los requisitos de sus proyectos. Los productos disponibles en Farnell incluyen fusibles, disyuntores, protectores contra sobretensiones, diodos TVS, tiristores, diodos, MOSFET, IGBT, controladores de puerta, módulos de potencia, interruptores y sensores.
NXP Semiconductors N.V. ha anunciado dos nuevas familias de procesadores que potencian las ventajas de la innovadora plataforma de automoción S32 de NXP con un procesado en tiempo real, seguro y de alto rendimiento. Las familias de procesadores S32Z y S32E ayudan a la industria de automoción a acelerar la integración de diversas aplicaciones de tiempo real para el control de dominios y zonas, procesado de la seguridad y electrificación del vehículo, primordiales para la próxima generación de vehículos más seguros y eficientes.
Mouser ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de UnitedSiC (ahora Qorvo®). Esta familia de dispositivos de cuarta generación, que forma parte de la extensa línea de FET de SiC de alto rendimiento, ofrece figuras de mérito en términos de resistencia en conducción,
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha añadido otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de 650 V superjunction (super unión) de canal N para ampliar su serie DTMOSVI. Los nuevos dispositivos se basan en el éxito de los dispositivos actuales y se utilizarán principalmente en aplicaciones como fuentes de alimentación industriales y de iluminación y otras aplicaciones en las que se necesita la máxima eficiencia en un factor de forma pequeño.
KIOXIA Europe GmbH ha anunciado el muestreo de su última generación de dispositivos de memoria flash integrada de almacenamiento flash universal (UFS por sus siglas en inglés) de 256 y 512 gigabytes (GB), versión 3.1. Alojados en paquetes de 0,8 y 1,0 mm de altura, los nuevos productos mejoran el rendimiento en un 30 % para la lectura aleatoria y un 40 % para la escritura aleatoria [1]
Toshiba Electronics Europe GmbH ha ampliado su catálogo de optoelectrónica con el fotorrelé TLP4590A, que se suministra en un encapsulado DIP6 compacto, proporciona a los ingenieros una alternativa más práctica y fiable a los relés mecánicos convencionales. Este fotorrelé 1-Form-B (normalmente cerrado) conduce una corriente de 1,2A que representa una mejora del 140% respecto al dispositivo TLP4176A de anterior generación de la compañía. Además su tensión en el terminal de salida es de 60V sin conducción. Su sensibilidad se ve mejorada gracias a su baja corriente de activación de LED de 2mA (máxima).
La tecnología de los transistores de efecto de campo (FET) de silicio ha sido la preferida en numerosas aplicaciones de potencia durante décadas. En ese tiempo, los fabricantes han logrado grandes avances en la reducción de la resistencia en conducción además de mejorar la tensión de ruptura con el fin de reducir las pérdidas y mejorar los márgenes de seguridad, respectivamente.
RC Microelectrónica, distribuidor para España y Portugal de Vishay Intertechnology, ofrece una familia completa de diodos SiC Schottky con voltaje de ruptura de 650 V en encapsulado simple de 2L TO-220AC ThroughHole o encapsulado dual en formato TO-247AD 3L THT en configuración de Cátodo Común.
Nexperia ha anunciado la primera familia de transistores de 80 V equipados con resistencia. Estos nuevos RET o "transistores digitales" proporcionan suficiente espacio para su uso en la red de placas de automóviles de 48 V (por ejemplo, coches híbridos medios y VE) y otros circuitos de alto voltaje que a menudo están sujetos a grandes picos y pulsos que las piezas anteriores de 50 V no pueden controlar.
Nexperia presenta la cartera más amplia de la industria de discretos calificados para automóviles en encapsulados DFN (Discrete Flat No leads) que ahorran espacio, térmicamente eficientes y compatibles con AOI. La gama de dispositivos AEC-Q101 disponible abarca todos los grupos de productos de Nexperia e incluye conmutación, Schottky, Zener y diodos de protección, transistores de unión bipolar (BJT), MOSFET de canal N y P, transistores equipados con resistencia y controladores de LED.
SMART Modular Technologies, Inc., una subsidiaria de SMART Global Holdings, Inc. ha presentado tres nuevas familias de productos SSD en el 2019 Flash Memory Summit de Santa Clara, California.
SMART Modular Technologies, Inc., una subsidiaria de SMART Global Holdings, Inc ha presentado su nuevo módulo de memoria Gen-Z de 3.0 ”y 256 GB (ZMM) en el 2019 Flash Memory Summit en Santa Clara, California.
Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vida útil de la batería en dispositivos portátiles compactos. Con un bajo consumo de energía de 1,7 V a 1,95 V y una serie de...
Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el amplificador bidireccional de detección de corriente MAX40056 con rechazo de modulación de ancho de pulso (PWM) patentado de Maxim Integrated Products, Inc.
Maxim Integrated Products, Inc. presenta el amplificador inteligente MAX98390 con el algoritmo integrado de Administración Dinámica de Altavoces (DSM) para ofrecer un sonido más eficiente, más claro y rico, con el consumo en reposo más bajo del mercado.
MACOM Technology Solutions Inc. ("MACOM"), ha presentado siete nuevos amplificadores CATV de alto rendimiento diseñados para funcionamiento de 5V que abarcan tanto 5-300 MHz aguas arriba como 45-1218 MHz aguas abajo.
Mouser Electronics, Inc. presenta los amplificadores de bajo ruido HMC8400 de Analog Devices. Miembros de la amplia serie de CIs para RF de ganancia fija de Analog Devices, los dispositivos HMC8400 son amplificadores de bajo ruido (LNA) de banda ancha que funcionan entre 2 GHz y 30 GHz.
Rutronik ofrece el nuevo chip de memoria ultra pequeño de Fujitsu de 1Mbit SPI FRAM. Es la solución ideal para aplicaciones miniatura con alimentación crítica para los mercados de sensores y de material portátil.
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