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Navitas Semiconductor ha anunciado una nueva familia de módulos de potencia de carburo de silicio (SiC) de tensión ultraalta, diseñada para aplicaciones de conversión energética en redes eléctricas, sistemas de almacenamiento y centros de datos de inteligencia artificial.
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Allegro MicroSystems ha anunciado la ampliación de su catálogo de componentes para robótica con soluciones de gestión de energía de 48 V y sensores de posición de alta precisión, destinados a mejorar el control de movimiento en robots humanoides y otros sistemas de inteligencia artificial física (Physical AI).
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StarPower Semiconductor ha presentado el MD53HFL120L2S_B20, un módulo de potencia basado en transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC), diseñado para aplicaciones de alta tensión en los sectores industrial y de automoción. El dispositivo pertenece a la clase de tensión de 1200 V y corriente de 120 A, e incorpora una topología de medio puente (half-bridge) formada por dos MOSFET SiC de canal N conectados en serie.
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Toshiba Electronics Europe ha ampliado su gama de semiconductores de potencia con el lanzamiento del IX800FXF2YMS4, un módulo doble de MOSFET de carburo de silicio (SiC) destinado a equipos industriales de conversión y control de energía. El nuevo dispositivo incorpora MOSFET SiC de tercera generación de Toshiba y presenta una tensión nominal drenador-fuente (VDSS) de 3.300 V y una corriente nominal de drenador en continua (ID) de 800 A.
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Renesas Electronics ha presentado el TP65H020G4PLSGBD, un dispositivo GaN de 650 V desarrollado para sistemas de conversión de potencia de alta densidad utilizados en arquitecturas HVDC de 800 V para centros de datos de inteligencia artificial.
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ROHM ha desarrollado el RS4P063BPHZG, un MOSFET de 100 V optimizado para funciones de seguridad del automóvil y circuitos de protección. El nuevo producto logra una SOA (área segura de funcionamiento) amplia líder del sector* en un amplio rango de tensiones en el encapsulado estándar HPLF5060 (tamaño 5060), ampliamente utilizado en aplicaciones de automoción.
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ROHM ha desarrollado IGBT de 4.ª generación de 650 V, ideales para compresores eléctricos y calentadores de alta tensión del sector de la automoción, así como para inversores destinados a equipos industriales. Como productos de la clase de 650 V de calidad automotriz,
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ROHM ha desarrollado una nueva gama de MOSFET de superconexión de 600 V, las series R60xxXNx y R60xxWNx. En los sectores de los centros de datos y los equipos industriales, la demanda de energía sigue aumentando a medida que se incrementan las cargas de procesamiento, lo que está impulsando una fuerte demanda de una mayor eficiencia de las fuentes de alimentación para reducir tanto el consumo de energía como la generación de calor.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha presentado el TPM1R408RH, un MOSFET de potencia de canal N de 80 V basado en la última tecnología de proceso U-MOS11-H de la empresa. Diseñado para fuentes de alimentación conmutadas industriales de alta eficiencia destinadas a equipos de centros de datos y estaciones base de comunicaciones, e
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Los sistemas de temporización para vehículos espaciales deben proporcionar señales muy estables y precisas a los instrumentos de navegación, de comunicaciones y científicos, incluso cuando las señales GNSS son débiles o no se encuentran disponibles.
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NOVOSENSE Microelectronics ha anunciado el lanzamiento de la serie SP301H/L, una familia de aisladores digitales de tres canales basada en su tecnología patentada de aislamiento capacitivo de tercera generación.
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Navitas Semiconductor ha anunciado el lanzamiento de su nuevo encapsulado UHV‑TO‑247‑4‑ISO, que establece un nuevo referente para los dispositivos de potencia discretos de alto rendimiento. Con una distancia de fuga de más de 12 mm entre pines y un aislamiento integrado superior a 6000 V,
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