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ROHM ha desarrollado el MOSFET de potencia de 100 V —RS7P200BM— con un SOA en un encapsulado de tamaño 5060 (5,0 mm × 6,0 mm). Este producto es ideal para circuitos de sustitución en caliente en servidores de IA que utilizan fuentes de alimentación de 48 V, así como para fuentes de alimentación industriales que requieren protección de batería.
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Beneq ha anunciado el lanzamiento de Beneq Transmute™, una plataforma ALD de última generación diseñada para la fabricación de semiconductores de gran volumen. Diseñada para la producción a gran escala de dispositivos electrónicos de potencia de banda ancha (WBG), dispositivos RF avanzados, μLED y otros dispositivos especiales, Beneq Transmute™ combina rendimiento, escalabilidad y rentabilidad en un solo sistema.
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iDEAL Semiconductor ha anunciado la disponibilidad de su tecnología SuperQ™ MOSFET, diseñada para resolver el equilibrio entre seguridad y eficiencia en los sistemas de gestión de baterías (BMS) de alto voltaje (72 V o superior). La nueva plataforma establece un nuevo estándar en la industria en cuanto a capacidad de resistencia a cortocircuitos (SCWC), el indicador de seguridad más importante para el interruptor de descarga del BMS.
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Mouser ya tiene en stock el nuevo procesador de IoT embebido SL1680 de Synaptics. El SL1680 es el más reciente de una serie de procesadores de sistema en chip (SoC) embebido con Android™ y Linux® nativos de IA, que están optimizados para aplicaciones de empresas multimodales, de consumo y del IoT industrial.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha ampliado su gama de diodos Zener con el lanzamiento de otros 15 productos. Estos dispositivos se utilizarán para proteger las líneas eléctricas de los dispositivos y equipos semiconductores contra sobretensiones de conmutación y pulsos de sobretensión de larga duración. Serán útiles en una amplia gama de aplicaciones, tanto de consumo como industriales.
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En los sistemas electrónicos modernos de comunicación, la transferencia eficiente de señales de audio y video es fundamental. Cuando se requiere conectar distintos dispositivos o redes que manejan estas señales, se utiliza un puente de audio y video (Audio/Video Bridge). Este dispositivo cumple la función de interconectar, sincronizar y gestionar múltiples flujos de datos audiovisuales garantizando su correcta transmisión sin pérdida de calidad ni desincronización temporal.
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En la actualidad, los sistemas embebidos demandan un equilibrio entre el procesamiento rápido de señales y el control preciso de sistemas físicos. Esta necesidad ha impulsado el desarrollo de los Controladores Digitales de Señal (Digital Signal Controllers, DSCs), dispositivos híbridos que combinan la potencia de procesamiento de un Procesador Digital de Señales (DSP) con la flexibilidad y facilidad de control de un microcontrolador (MCU).
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») amplía su gama de diodos Zener de protección contra sobretensiones para automoción con el lanzamiento de la serie XCEZ. Estos nuevos diodos se alojan en un encapsulado SOD-523 pequeño y versátil, lo que los hace especialmente adecuados para aplicaciones con limitaciones de espacio, como los sistemas de infoentretenimiento para vehículos (IVI), los sistemas avanzados de asistencia al conductor (ADAS) y los sistemas de gestión de baterías (BMS).
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Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») ha lanzado el TPH2R70AR5, un nuevo MOSFET de potencia de canal N con una tensión nominal de 100 V fabricado con su proceso de última generación, conocido como U-MOS11-H. El MOSFET se utilizará principalmente en aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), en particular en convertidores CC-CC de alta eficiencia.
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Ya sea para disfrutar de una experiencia cinematográfica inmersiva en casa, para pantallas de visualización frontal en automóviles o para visión artificial industrial, los proyectores gozan de una popularidad cada vez mayor. Para estas aplicaciones, ams OSRAM presenta el primer producto de su nueva serie Vegalas™ Power de diodos láser de alta potencia.
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Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») anuncia el lanzamiento de dos nuevos MOSFET de potencia de canal N, el TPM1R908QM de 80 V y el TPM7R10CQ5 de 150 V. Estas últimas novedades adoptan el innovador encapsulado SOP Advance(E) de Toshiba, diseñado para mejorar el rendimiento de las fuentes de alimentación conmutadas para equipos industriales exigentes, incluidos centros de datos y estaciones base de comunicaciones.
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Magnachip Semiconductor Corporation ha anunciado hoy el lanzamiento de un nuevo MOSFET MXT MV de 80 V, el MDLT080N017RH, con encapsulado TOLT (TO-Leaded Top-Side Cooling).
El MOSFET con encapsulado TOLT supone un importante avance en la gestión térmica.
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