La transacción valora Transphorm en aproximadamente 339 millones de dólares. La adquisición proporcionará a Renesas tecnología GaN propia, un material clave de próxima generación para semiconductores de potencia, ampliando su alcance en mercados de rápido crecimiento como los vehículos eléctricos, la informática (centros de datos, IA, infraestructuras), las energías renovables, la conversión de potencia industrial y los cargadores/adaptadores rápidos.

La demanda de sistemas de alimentación altamente eficientes está aumentando como elemento básico para la neutralidad de carbono. Para hacer frente a esta tendencia, también se está observando una transición en toda la industria hacia materiales de banda ancha ("WBG"), representados por el carburo de silicio ("SiC") también se está observando. Estos materiales avanzados permiten una gama más amplia de voltajes y frecuencias de conmutación que los dispositivos convencionales basados en silicio. Para aprovechar este impulso, Renesas ha anunciado la creación de una línea de producción propia de SiC, respaldada por un acuerdo de suministro de obleas de SiC por 10 años.

Renesas pretende ahora ampliar aún más su cartera de WBG con la experiencia de Transphorm en GaN, un material emergente que permite una mayor frecuencia de conmutación, menores pérdidas de potencia y factores de forma más pequeños. Estas ventajas potencian los sistemas de los clientes con una mayor eficiencia, una composición más pequeña y ligera, y un menor coste global. Por ello, se prevé que la demanda de GaN crezca más de un 50% anual, según un estudio del sector. Renesas implementará la tecnología GaN autocalificada de Transphorm para desarrollar nuevas ofertas de soluciones de potencia mejoradas, como soluciones de tren de potencia X-in-1 para vehículos eléctricos, junto con aplicaciones informáticas, energéticas, industriales y de consumo.