La cartera de dispositivos de potencia de ROHM abarca tanto tecnologías de silicio como de banda ancha, incluyendo carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN), lo que ofrece una vía estratégica para los diseñadores de centros de datos. Los MOSFET de silicio de la empresa ya se utilizan ampliamente en los sectores automovilístico e industrial, ya que proporcionan una solución rentable y fiable para las necesidades actuales de conversión de potencia. Son ideales para aplicaciones en las que es necesario equilibrar el precio, la eficiencia y la fiabilidad, lo que los hace muy adecuados para las etapas de transición del desarrollo de la infraestructura de IA.
Un ejemplo destacado es el RY7P250BM, un MOSFET de potencia de 100 V respaldado por los principales proveedores de nube a nivel mundial y diseñado específicamente para circuitos de intercambio en caliente en sistemas de alimentación de 48 V, un componente esencial en los servidores de IA. Entre sus características principales se incluyen el mejor rendimiento SOA (área de funcionamiento seguro) de su clase y una resistencia ON ultrabaja (1,86 mΩ) en un paquete compacto de 8080. Estas características ayudan a reducir la pérdida de potencia y a mejorar la fiabilidad del sistema, requisitos cruciales en plataformas en la nube de alta densidad y alta disponibilidad. A medida que los centros de datos pasan de 12 V a 48 V y más, la capacidad de intercambio en caliente se vuelve fundamental para mantener el tiempo de actividad y proteger contra las corrientes de irrupción.
La rectificación de grado industrial con pérdidas mínimas es un área en la que los dispositivos SiC de ROHM destacan y se alinean con los planes de NVIDIA de comenzar el despliegue a gran escala de su arquitectura de centro de datos HVDC de 800 V para alimentar racks informáticos de 1 MW y más. En el corazón de la nueva infraestructura de NVIDIA se encuentra la conversión de 13,8 kV CA de la red directamente a 800 V CC. La iniciativa está diseñada para abordar las ineficiencias de los sistemas de alimentación de racks tradicionales de 54 V, que están limitados por el espacio físico, la sobrecarga de cobre y las pérdidas por conversión.
Los MOSFET de SiC de ROHM ofrecen un rendimiento superior en entornos de alta tensión y alta potencia, lo que se traduce en una mayor eficiencia gracias a la reducción de las pérdidas por conmutación y conducción, una mayor estabilidad térmica para sistemas compactos y de alta densidad, y una fiabilidad probada en aplicaciones de misión crítica. Estas características se ajustan perfectamente a los requisitos de la arquitectura HVDC de 800 V de NVIDIA, cuyo objetivo es reducir el uso de cobre, minimizar las pérdidas de energía y simplificar la conversión de energía en todo el centro de datos.
Como complemento al SiC, ROHM está avanzando en las tecnologías de nitruro de galio bajo la marca EcoGaN™. Mientras que el SiC es más adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente, el GaN ofrece un rendimiento excepcional en el rango de 100 V a 650 V, con una resistencia al campo de ruptura superior, una baja resistencia en estado ON y una conmutación ultrarrápida. La amplia gama EcoGaNTM de ROHM incluye HEMT de GaN de 150 V y 650 V, controladores de puerta e IC de etapa de potencia integrados. Al mismo tiempo, la tecnología patentada Nano Pulse ControlTM mejora aún más el rendimiento de conmutación, reduciendo la anchura de los pulsos hasta 2 ns. Estas innovaciones satisfacen la creciente demanda de sistemas de alimentación más pequeños y eficientes en los centros de datos de IA.
Más allá de los dispositivos discretos, ROHM ofrece una gama de módulos SiC de alta potencia, que incluye paquetes moldeados con refrigeración superior, como el HSDIP20, equipados con avanzados chips SiC de cuarta generación. Estos módulos SiC de 1200 V están optimizados para topologías LLC en convertidores CA-CC y aplicaciones del lado primario en convertidores CC-CC. Diseñados para una conversión de potencia de alta eficiencia y alta densidad, son especialmente adecuados para los sistemas de alimentación centralizados previstos en la arquitectura de NVIDIA. Su robusto rendimiento térmico y su escalabilidad los hacen ideales para busways de 800 V y configuraciones de rack a escala MW.
La transición a una infraestructura HVDC de 800 V es un esfuerzo colaborativo. ROHM se compromete a colaborar estrechamente con líderes del sector como NVIDIA, así como con operadores de centros de datos y diseñadores de sistemas de alimentación, con el fin de proporcionar las tecnologías de silicio fundamentales que se necesitan para esta próxima generación de fábricas de IA. Nuestra experiencia en semiconductores de potencia, especialmente en materiales de banda ancha como el SiC y el GaN, nos posiciona como un socio clave en el desarrollo de soluciones que no solo son potentes, sino que también contribuyen a un futuro digital más sostenible y energéticamente eficiente.
