Si usted es como yo y se pone nervioso si falla su conexión a Internet, si no puede salir de casa sin un smartphone y almacena sus datos en la nube, entonces usted es (al igual que yo) responsable en parte del enorme aumento que ha experimentado el tráfico en Internet, cuyas previsiones para el año 2014 casi duplican respecto a la actualidad la capacidad necesaria (ver Figura 1. Previsión del volumen de datos en Internet). ¿Se ha preguntado alguna vez la cantidad de datos que cruza océanos, viaja miles de kilómetros y llega hasta su mesa?
Applied Micro Circuits Corporation, o AppliedMicro anuncia el transmisor CMOS CI más rápido del mundo para aplicaciones DWDM, que soportan implementaciones de redes de alta eficiencia energética y rentables de 100 Gbps en área metropolitana, regional y de larga distancia.
IXYS Corporation ha presentado el módulo bipolar de alta potencia en el esquema del estándar TO240 esquema, MCMA140.
International Rectifier ha presentado una plataforma muy innovadora de IGBT de 600V para automoción, COOLiRIGBT™, para un gran número de aplicaciones de conmutación rápida en vehículos eléctricos e híbridos, como convertidores CC/CC, accionamientos del motor y cargadores de baterías.
Mitsubishi Electric ha presentado un nuevo circuito integrado de alta tensión de 600 V (HVIC), el M81729JFP, para su uso en convertidores de tensión de vehículos eléctricos (VE) y vehículos eléctricos híbridos (VEH). Los VEs y VEHs utilizan convertidores de tensión incorporados con dispositivos de potencia para convertir la corriente de alta tensión, que se utiliza de otro modo en los motores de potencia, en corriente de baja tensión para alimentar diversos equipos del vehículo.
Mitsubishi Electric ha presentado su sexta generación de módulos MPD (Mega Power Dual) IGBT. Los módulos, que son para su uso en convertidores de potencia como sistemas de gran capacidad fotovoltaica y eólicos de generación de energía, también son adecuados para otras aplicaciones de alta potencia, por ejemplo, en las áreas de Sistema de Alimentación Ininterrumpida (SAI) y control de motor de corriente alterna.
ROHM Semiconductor ha anunciado la producción en masa de los módulos de potencia SiC (1200V/100A nominal) totalmente compuestos por elementos de potencia SiC y que permiten el funcionamiento de alta frecuencia por encima de 100 kHz. Así, la compañía es ahora capaz de ofrecer dispositivos SiC, como los diodos de barrera Schottky (SBD) y MOSFETs, así como una completa solución módulo SiC. Debido a la experiencia de SiCrystal AG, que forma parte del grupo, ROHM posee la capacidad total de fabricación de semiconductores SiC
Mitsubishi Electric lanza el módulo inteligente de potencia DIPIPM de 1200 V/ 50A, versión 4 (PS22A79). El nuevo módulo de potencia está diseñado para su uso en pequeños aires acondicionados, frigoríficos y otros motores industriales.
Microchip ha ampliado su catálogo de amplificadores operacionales con deriva cero mediante la incorporación de los amplificadores únicos MCP6V11 y MCP6V31. Estos dispositivos de muy altas prestaciones, que funcionan a partir de una sola tensión de alimentación a partir de 1,6V y una corriente en reposo a partir de 7,5 µA, ofrecen algunos de los valores más bajos de la corriente en reposo del mercado para un ancho de banda determinado sin sacrificar las prestaciones óptimas que son fundamentales para aplicaciones portátiles en los mercados de consumo, industria y medicina.
El logro de buenos resultados de pérdida por la alta velocidad de conmutación a baja resistencia de puerta supone un “trade-off” con el comportamiento EMI del sistema. Mitsubishi ha desarrollado una plataforma de evaluación para caracterizar módulos IGBT 6 en 1 y para determinar su dv/dt frente a las pérdidas de “turn-on” en función de la resistencia de puerta. La investigación eléctrica concluye con una tabla que indica el “trade-off” entre la pérdida de energía en la conexión frente a dv/dt, parametrizado como una función de la suma de la resistencia de puerta interna y externa de un módulo IGBT 6 en 1 150 A/1200 V. La parte de fuente de alimentación conmutada (SMPS) de la plataforma de desarrollo se ha analizado térmicamente.
Lattice Semiconductor Corporation ha redefinido el mercado de FPGAs de bajo costo, y baja potencia de rango medio con el anuncio de la próxima generación de la familia de FPGAs LatticeECP4™, con SERDES 6 Gbps en encapsulados wire-bond de bajo coste, potentes bloques DSP y motores robustos de comunicación basada en IP para los mercados inalámbricos, de telefonía fija, video e informática, sensibles al coste y al consumo de energía.
Lattice Semiconductor Corporation anuncia que ha lanzado un diseño de puente para el sensor de imagen Sony IMX136.
Silicon Labs ha presentado varias herramientas destinadas a incorporar inteligencia artificial y nuevos flujos de colaboración al desarrollo de dispositivos IoT. Los anuncios, realizados durante la séptima edición de Works With Summit, incluyen la beta pública de Simplicity AI SDK, una nueva...
MIPS y Xcelsa Labs han anunciado una alianza estratégica no exclusiva para incorporar la plataforma Apex Design Optimization de Xcelsa al ecosistema de tecnologías utilizado por MIPS para el desarrollo de chips personalizados. La colaboración pretende aplicar las capacidades de optimización y...
Toshiba Electronics Europe ha ampliado su gama de aisladores digitales industriales con la serie DCL32xx00, formada por cuatro dispositivos de doble canal que alcanzan velocidades de transmisión de hasta 25 Mbps. Los nuevos componentes presentan un consumo de corriente de funcionamiento típico de...
Microchip Technology ha ampliado su familia de dispositivos 10BASE-T1S con los transceptores PMD LAN8679 y LAN8680 y la familia de puntos finales LAN8660X/1X/2X con transceptor integrado.
Los nuevos componentes están destinados a implementar Single Pair Ethernet (SPE) en arquitecturas de...
La rápida adopción de arquitecturas de alimentación de 48V en automoción, IA/centros de datos, redes y sistemas industriales para mejorar la eficiencia y admitir potencias más elevadas hace que los diseñadores necesiten algo más que visibilizar las condiciones instantáneas de tensión y corriente.
Renesas Electronics ha presentado el SLG46801, un nuevo dispositivo configurable de señal mixta de la familia GreenPAK destinado a aplicaciones que requieren reducir el espacio ocupado por los componentes electrónicos. El circuito está disponible en encapsulados WLCSP y STQFN e incorpora memoria no...
Nordic Semiconductor presenta oy el sistema en chip (SoC) nRF54LC10A, compatible con Bluetooth® Low Energy (LE), Bluetooth Channel Sounding, Thread, Zigbee y Matter. El nRF54LC10A, modelo de gama básica, es el SoC multiprotocolo más pequeño y de consumo ultrabajo de la serie nRF54L, que combina...
Mouser Electronics, Inc dispone ya de los nuevos transistores de efecto de campo de nitruro de galio (FET de GaN) GaNEXUS™ de onsemi. Los FET de GaN GaNEXUS utilizan la banda ancha del GaN para suministrar características como una rápida conmutación y una carga reducida de salida y puerta, así...
En el diseño de circuitos de comunicación y adquisición de señales con aislamiento galvánico para aplicaciones industriales, la mayoría de los ingenieros todavía recurren a soluciones basadas en componentes discretos: un transceptor de bus RS-485/CAN, un aislador digital y un módulo de...
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