La simulación es una herramienta muy valiosa para los diseñadores, ya que reduce el número de prototipos necesarios, ahorrando la necesidad de repeticiones, aumentando así la eficiencia del desarrollo y reduciendo el tiempo, el coste y el riesgo generales.
En el exigente mundo de la electrónica de potencia y el diseño de automóviles existe una fuerte demanda de predicciones preliminares del rendimiento de la EMI y la disipación de energía de todo el sistema. Esto lleva a una creciente demanda de modelos SPICE para semiconductores de potencia que puedan predecir las eficiencias de conversión de potencia, EMI y otros parámetros relevantes.
Estos nuevos modelos SPICE G2 para dispositivos de potencia discretos se crean utilizando el formato de modelo macro, que combina múltiples modelos compactos para ajustarse a la estructura del dispositivo, representando las características eléctricas con unos pocos elementos no lineales y una función arbitraria continua. Con este enfoque, las simulaciones de conmutación son más precisas y se acercan más a las mediciones reales al mejorar la reproducibilidad de las características del dominio de alta corriente de la curva ID-VDS, incluidas las características dependientes de la tensión de la capacitancia parásita.
Disponibles en el sitio web de Toshiba, los modelos G2 cubren los MOSFET de baja tensión (12V-300V) y los MOSFET de media y alta tensión (400V a 900V). Hay versiones disponibles para PSpice y LTSpice.
