El aislamiento galvánico permite la activación de los MOSFETs bajo condiciones de altas tensiones de hasta 2500V. La estructura se corresponde a la de un aislamiento básico para tensiones de servicio de 250 Vrms de acuerdo con EN61558-2-16, y garantiza una tensión de prueba de 2500 VAC entre el devanado primario y secundario. En esta serie, el producto Vμs es un 70% más alto que en la serie WE-GDT ya existente, permitiendo con ello la rápida activación de los MOSFETs del secundario. El núcleo EP7 actúa como protección contra campos magnéticos externos, reduciendo, al mismo tiempo, su propio campo magnético radiado, con lo cual se reduce la radiación electromagnética de la aplicación final.
Los transformadores gate-drive WE-GDT están ya disponibles. Están diseñados con tres devanados separados y hasta cinco relaciones de devanados diferentes. Estaríamos encantados de enviarles también muestras gratuitas en cualquier momento.
