este encapsulado está diseñado específicamente para MOSFET de SiC GeneSiC de 1200 V a 3300 V, ofreciendo un rendimiento similar al de los módulos en un formato discreto y compacto. En comparación con los paquetes estándar de orificio pasante no aislados, este paquete no solo elimina la necesidad de un aislamiento externo de alta tensión, sino que también mejora el rendimiento térmico y frente a las interferencias electromagnéticas (EMI). Esto amplía la gama de paquetes de Navitas, que incluye los módulos de potencia SiCPAK®, QDPAK, TO‑247‑LP y otras soluciones de alto rendimiento, para sistemas de potencia más eficientes, densos y escalables en los sectores de la energía, la red eléctrica y los centros de datos de IA.
Ventajas del sistema:
Aislamiento de alta tensión integrado: Al integrar un sustrato de nitruro de aluminio (AlN), este encapsulado ofrece un sólido aislamiento de alta tensión que supera los 6000 V, lo que elimina la necesidad de materiales de aislamiento externos y simplifica el diseño del sistema.
Gestión térmica con refrigeración directa y compatible con el proceso de reflujo: Una almohadilla térmica aislada de alta tensión y compatible con el proceso de reflujo permite montar el encapsulado directamente en disipadores térmicos refrigerados por líquido o por aire, eliminando la necesidad de un material de interfaz térmica (TIM) externo. Esto reduce el RTH,J-HS hasta en un 60 %, lo que se traduce en un aumento de hasta el 150 % en la capacidad de disipación de potencia, mejorando la densidad de potencia, la fiabilidad, la facilidad de fabricación y el coste global del sistema.
Reducción de la capacitancia de acoplamiento y de la EMI radiada: El aislamiento de alta tensión integrado reduce la capacitancia parásita entre el chip y el disipador térmico en comparación con los aisladores externos de cerámica, lo que minimiza eficazmente el ruido en modo común y la EMI radiada. Esto permite mayores velocidades de conmutación y ofrece una mejor densidad de potencia, una mayor eficiencia del sistema y una reducción de los costes a nivel de sistema asociados a la mitigación de la EMI.
Vida útil superior en ciclos de potencia y térmicos: Fabricado sobre un sustrato de AlN de alto rendimiento con tecnología de soldadura fuerte activa (AMB) y una robusta interfaz de disipador térmico compatible con el reflujo, este encapsulado elimina la necesidad de utilizar materiales de interfaz térmica (TIM) externos y materiales de aislamiento en la pila del sistema, lo que proporciona una capacidad superior para los ciclos de potencia y una vida útil mejorada en los ciclos térmicos.
Factor de forma y huella estándar del sector: Compatible con el factor de forma TO‑247‑4 de alta tensión ya consolidado y con la geometría de los terminales, este encapsulado permite una integración sencilla en el sistema sin necesidad de rediseño, al tiempo que ofrece un rendimiento superior, mayor fiabilidad y un menor coste total del sistema.
«El diseño de sistemas de alta potencia se enfrenta al reto fundamental de equilibrar una gestión térmica eficiente con un aislamiento robusto frente a la alta tensión», afirmó Paul Wheeler, vicepresidente y director general de la unidad de negocio de SiC de Navitas. «El encapsulado UHV-TO-247-4-ISO supera retos críticos de gestión térmica y aislamiento, ofreciendo un rendimiento propio de los módulos de potencia en un formato discreto y compacto. Como componente básico de alta eficiencia, permite a los diseñadores de sistemas aprovechar todo el potencial de la tecnología MOSFET de SiC GeneSiC TAP en aplicaciones de próxima generación, como la electrónica de potencia refrigerada por inmersión y por líquido».
Cartera de productos:
El encapsulado UHV-TO-247-4-ISO se ofrece en versiones de MOSFET de SiC de 3300 V, 2300 V y 1200 V. Este avance en el encapsulado permite mejorar el rendimiento en sistemas de conversión de potencia (PCS) de alta tensión conectados a la red, transformadores de estado sólido (SST), sistemas de almacenamiento de energía en baterías (BESS) y aplicaciones de energía renovable.
