Fundada en 1994, GTAT tiene experiencia en el crecimiento cristalino, incluido el SiC. El SiC es un material clave para los semiconductores de próxima generación que proporciona ventajas técnicas en los dispositivos de conmutación de potencia de SiC, mejorando significativamente la eficiencia del sistema en los vehículos eléctricos (EVs), la carga de EVs y la infraestructura energética.