En concreto, los socios pretenden convertirse mutuamente en fuentes alternativas de paquetes seleccionados para dispositivos de potencia de SiC, una medida que aumentará la flexibilidad de diseño y adquisición para sus clientes. En el futuro, los clientes podrán adquirir dispositivos con carcasas compatibles tanto de ROHM como de Infineon. La colaboración garantizará una compatibilidad e intercambiabilidad perfectas para satisfacer las necesidades específicas de los clientes.
«Estamos muy ilusionados por trabajar con ROHM para acelerar aún más el establecimiento de los dispositivos de potencia de SiC», afirmó el Dr. Peter Wawer, presidente de la división Green Industrial Power de Infineon. «Nuestra colaboración proporcionará a los clientes una gama más amplia de opciones y una mayor flexibilidad en sus procesos de diseño y adquisición, lo que les permitirá desarrollar aplicaciones más eficientes desde el punto de vista energético que impulsarán aún más la descarbonización».
«ROHM se compromete a proporcionar a los clientes las mejores soluciones posibles. Nuestra colaboración con Infineon constituye un paso importante hacia la consecución de este objetivo, ya que amplía la cartera de soluciones», afirmó el Dr. Kazuhide Ino, miembro del consejo de administración y director ejecutivo encargado del negocio de dispositivos de potencia de ROHM. «Trabajando juntos, podemos impulsar la innovación, reducir la complejidad y aumentar la satisfacción de los clientes, lo que en última instancia dará forma al futuro de la industria de la electrónica de potencia».
Como parte del acuerdo, ROHM adoptará la innovadora plataforma de refrigeración superior de Infineon para SiC, que incluye los encapsulados TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual y H-DPAK. La plataforma de refrigeración superior de Infineon ofrece varias ventajas, entre ellas una altura estandarizada de 2,3 mm para todos los paquetes. Esto facilita los diseños y reduce los costes del sistema de refrigeración, al tiempo que permite un mejor aprovechamiento del espacio de la placa y hasta el doble de densidad de potencia.
Al mismo tiempo, Infineon adoptará el encapsulado DOT-247 de ROHM con configuración de medio puente de SiC para desarrollar un paquete compatible. Esto ampliará la gama de IGBT Double TO-247 recientemente anunciada por Infineon para incluir soluciones de medio puente de SiC. El avanzado DOT-247 de ROHM ofrece una mayor densidad de potencia y reduce el esfuerzo de montaje en comparación con los paquetes discretos estándar. Con una estructura única que integra dos encapsulados TO-247, permite reducir la resistencia térmica en aproximadamente un 15 % y la inductancia en un 50 % en comparación con el TO-247. Las ventajas aportan una densidad de potencia 2,3 veces superior a la del TO-247.
ROHM e Infineon tienen previsto ampliar su colaboración en el futuro para incluir otros encapsulados con tecnologías de potencia de silicio y de banda ancha, como SiC y nitruro de galio (GaN). Esto reforzará aún más la relación entre las dos empresas y proporcionará a los clientes una gama aún más amplia de soluciones y opciones de abastecimiento.
Los semiconductores basados en SiC han mejorado el rendimiento de las aplicaciones de alta potencia al conmutar la electricidad de forma aún más eficiente, lo que permite una alta fiabilidad y robustez en condiciones extremas, al tiempo que permite diseños aún más pequeños. Con los productos SiC de ROHM e Infineon, los clientes pueden desarrollar soluciones energéticamente eficientes y aumentar la densidad de potencia para aplicaciones como la recarga de vehículos eléctricos, los sistemas de energía renovable y los centros de datos de IA.
