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Tecnología eGaN que duplica el rendimiento

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EPC presenta el EPC2619 de 80 V y 4 mOhm. Se trata del producto principal de una nueva generación de dispositivos de eGaN que tienen el doble de densidad de potencia en comparación con los productos de la generación anterior de EPC.

El EPC2619 tiene un RDS(on) de tan sólo 4 mOhms en un diminuto tamaño de 1,5 mm x 2,5 mm. La RDS(on) x Área máxima del EPC2619 es de 15 mΩ*mm2, cinco veces menor que la de los MOSFET de silicio de 80 V.

Este producto está diseñado para una gama de aplicaciones de accionamiento de motores. Por ejemplo: conversión de 28 V - 48 V para eBikes, eScooters y herramientas eléctricas; convertidores DC-DC de alta densidad; optimizadores solares; y rectificación sincrónica que convierte 12 V - 20 V para cargadores, adaptadores y fuentes de alimentación de TV.

El RDS(on) x QGD típico, que es indicativo de las pérdidas de potencia en aplicaciones de conmutación dura, es 10 veces mejor que los MOSFET de silicio de 80 V. Esto permite frecuencias de conmutación 10 veces superiores a las de los MOSFET de silicio y sin una penalización de la eficiencia, produciendo así la mayor densidad de potencia. Esto hace que el EPC2619 sea ideal para aplicaciones de conmutación dura de alta frecuencia de 24 V a 48 V, como las utilizadas en convertidores buck, buck-boost y boost.

El RDS(on) x QOSS típico, que es indicativo de las pérdidas de potencia en aplicaciones de conmutación suave, es de 87 mOhm*nC, dos veces mejor que los MOSFET de silicio de 80 V. Esto hace que el EPC2619 sea ideal para aplicaciones de conmutación suave, como el puente completo de rectificación primaria para convertidores DCX DC-DC basados en LLC.


Placa de desarrollo
La placa de desarrollo EPC90153 es un medio puente que incorpora el FET de GaN EPC2619. Está diseñada para una tensión máxima del dispositivo de 80 V y una corriente de salida máxima de 20 A. El objetivo de esta placa es simplificar el proceso de evaluación de los diseñadores de sistemas de potencia para acelerar el tiempo de comercialización de sus productos. Esta placa de 50,8 mm x 50,8 mm (2" x 2") está diseñada para un rendimiento de conmutación óptimo y contiene todos los componentes críticos para facilitar la evaluación.

Precio y disponibilidad

La EPC2619 tiene un precio de 1,90 dólares cada una en volúmenes de 2,5 Ku.

La placa de desarrollo EPC90153 tiene un precio de 200,00 dólares cada una.

Los diseñadores interesados en sustituir sus MOSFET de silicio por una solución de GaN pueden utilizar la herramienta de referencias cruzadas del EPC GaN Power Bench para encontrar un sustituto sugerido en función de sus condiciones de funcionamiento únicas. La herramienta de referencia cruzada puede encontrarse en: https://epc-co.com/epc/design-support/part-cross-reference-search

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