Circuitos integrados

MOSFETs de SiC de calidad para automoción de Rohm

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ROHM ha anunciado recientemente la adición de 10 nuevos MOSFETs de SiC de calidad automoción. La introducción de la serie SCT3xxxxxHR permite a ROHM ofrecer la mayor gama de la industria de MOSFETs de SiC con calificación AEC-Q101, que proporcionan la elevada fiabilidad necesaria para los cargadores de a bordo y convertidores CC/CC del sector automoción.

En los últimos años, un número cada vez mayor de fabricantes de automóviles ya ofrece vehículos eléctricos en respuesta a la creciente conciencia medioambiental y al aumento de los costes de combustible. No obstante, aunque los vehículos eléctricos se están extendiendo cada vez más, su autonomía relativamente corta sigue planteando problemas. Para mejorar la autonomía, las baterías tienden a aumentar su capacidad con tiempos de carga más cortos. Esto, a su vez, exige una alta potencia y eficiencia en los cargadores de a bordo, tales como 11kW y 22kW, lo que lleva a su vez a la utilización cada vez más frecuente de los MOSFETs de SiC. Además, las baterías de alta tensión (800V) requieren dispositivos de potencia que presenten bajas pérdidas y tensiones de resistencia más altas.

Para satisfacer estas necesidades, ROHM ha añadido 10 nuevos modelos a su gama de MOSFETs con calificación AEC-Q101, que utilizan una estructura Trench. El resultado es la cartera más grande de la industria, disponible en variantes de 650V y 1200V. Y en el futuro, ROHM se seguirá esforzando por mejorar aún más la calidad y fortalecer su gama para aumentar el rendimiento de los dispositivos, reducir el consumo de energía y lograr una mayor miniaturización.

En diciembre de 2010, ROHM fue la primera empresa del mundo en implementar con éxito la producción en masa de MOSFETs de SiC y continúa liderando la industria en el desarrollo y producción en masa de dispositivos de potencia SiC. Particularmente en el mercado de la automoción, donde la demanda está en aumento, ROHM consolidó rápidamente la calidad de nivel automoción y comenzó a suministrar diodos de barrera Schottky de SiC para cargadores de a bordo en 2012 y MOSFETs de SiC para convertidores CC/CC y cargadores de a bordo a partir de 2017.

Bajo el objetivo corporativo de «Quality first» establecido desde su fundación, ROHM utiliza un sistema de producción verticalmente integrado dentro del grupo que infunde una calidad superior en cada proceso, desde el desarrollo hasta la prueba final, al mismo tiempo que proporciona una trazabilidad fiable y una cadena de suministro optimizada. Para los dispositivos de potencia SiC también se utiliza un sistema de producción integrado que cubre todo, desde la fabricación de obleas hasta el envasado, para eliminar las «cajas negras» durante el proceso de fabricación, lo que garantiza una mayor fiabilidad y calidad.

Disponibilidad: inmediata

* Encuesta ROHM al 19 de marzo de 2019

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