Beneq Transmute™ amplía el rendimiento de la plataforma Beneq Transform® XP a entornos de producción con la arquitectura ALD de tres pasos patentada por Beneq. Al combinar el pretratamiento con plasma, la ALD mejorada con plasma (PEALD) y la ALD térmica por lotes, la plataforma ofrece pilas dieléctricas conformes y de alto rendimiento con control de interfaz a nivel atómico, ahora con un alto rendimiento.
Sus cámaras de 25 obleas con flujo uniforme, junto con la avanzada tecnología de dosificación de precursores, permiten tiempos de ciclo rápidos, una cobertura optimizada de las obleas y una reducción de los residuos de precursores, lo que se traduce en un bajo coste de propiedad en una amplia gama de aplicaciones de semiconductores.
«Beneq Transmute™ representa un gran avance para convertir el ALD en una solución de fabricación de gran volumen», afirma Lucas Monteiro, director de producto de Beneq. «Al combinar la precisión de la ALD con un rendimiento y una escalabilidad que se ajustan a las demandas de producción, ofrecemos a nuestros clientes la posibilidad de producir dispositivos de banda ancha y RF de última generación con un alto rendimiento y un bajo coste de propiedad, con la calidad de película sin concesiones por la que Beneq es conocida».
Diseñado para requisitos de producción específicos
Beneq Transmute™ es compatible con ALD térmico y mejorado por plasma dentro de una arquitectura de clúster modular que permite configuraciones específicas. Con hasta dos cámaras de transferencia y once ranuras para módulos de proceso, incluidos PEALD, térmico, búfer y precalentador, cada sistema se puede adaptar para satisfacer las aplicaciones específicas de los clientes y las hojas de ruta de las fábricas, al tiempo que se garantiza la escalabilidad a largo plazo.
