Los nuevos módulos de 4.5 kV/1,200 A están diseñados para aumentar tanto la eficiencia como la fiabilidad de los inversores utilizados en grandes equipos industriales y en sistemas ferroviarios que operan en una amplia gama de entornos, incluyendo exteriores. Incorporan estructuras propietarias de diodo RFC (Relaxed Field Cathode) y CSTBT (Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistor), que permiten mejorar significativamente diversas métricas de rendimiento respecto a productos previos.
Principales innovaciones técnicas
Mayor resistencia a la humedad: Los nuevos módulos ofrecen aproximadamente 20 veces más resistencia a la humedad en comparación con modelos anteriores, mejorando la durabilidad en condiciones ambientales adversas.
Reducción de las pérdidas de conmutación: El diseño optimizado reduce las pérdidas totales de conmutación en torno a un 5 % respecto a generaciones anteriores, contribuyendo a una mayor eficiencia energética.
Mejor tolerancia RRSOA: La tolerancia de área segura de operación reversa (RRSOA) es aproximadamente 2.5 veces superior a los modelos previos, lo que mejora la robustez del dispositivo bajo condiciones de operación exigentes.
Reducción del tamaño de terminación: La implementación de estructuras avanzadas de relajación del campo eléctrico ha permitido reducir el volumen de la región de terminación del chip en alrededor de 30 %, favoreciendo un diseño más compacto sin sacrificar rendimiento.
Estos avances permiten que los nuevos módulos HVIGBT de la serie XB aporten mejoras tanto en eficiencia como en fiabilidad para inversores de potencia de gran escala, contribuyendo al objetivo de Mitsubishi Electric de impulsar la neutralidad de carbono mediante soluciones de conversión energética más eficientes.
