La próxima generación de dispositivos vestibles (weareables) y escuchables (hearables) está incorporando nuevos niveles de inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML), lo que crea varios desafíos para los diseñadores de productos. En primer lugar, el espacio disponible en la placa es escaso a medida que se añaden funciones, y la disipación del calor se convierte en un problema a medida que aumenta el consumo de energía.
Nexperia ha aprovechado sus décadas de experiencia como líder del sector en la producción de componentes discretos y ha diseñado esta innovadora gama de MOSFETs diminutos para superar con éxito ambos problemas. El encapsulado DFN0603 de perfil ultrabajo, que mide sólo 0,63 x 0,33 x 0,25 mm, utiliza un 13% menos de espacio que los MOSFET en el siguiente encapsulado más pequeño (DFN0604). Esta reducción de tamaño se ha logrado sin comprometer el rendimiento del dispositivo; de hecho, el RDS(on) de estos dispositivos se ha reducido en un 74%, lo que contribuye a mejorar la eficiencia y permite a los diseñadores de equipos portátiles alcanzar una densidad de potencia aún mayor.
Esta nueva gama de pequeños MOSFETs incluye:
- PMX100UN 20 V, MOSFET de trinchera de canal N
- PMX100UNE 20 V, MOSFET de trinchera de canal N con protección ESD de 2kV (HBM)
- PMX300UNE 30 V, MOSFET de trinchera de canal N
- PMX400UP 20 V, MOSFET de canal P
