Los nuevos optoacopladores han sido diseñados para aplicaciones tales como interfaces digitales de alta velocidad para medida o control de dispositivos, (MIP) unidades de módulos de potencia inteligente y controladores lógicos programables para su uso en entornos industriales.
El TLP2745 es un optoacoplador de tipo "buffer logic" (alta entrada → alta salida), mientras que el TLP2748 es de tipo "inverter logic" (alta entrada → baja salida), ambos proporcionan una tensión de aislamiento de mín. 5000 Vrms.
La demanda en los últimos años para los productos de eficiencia energética ha dado lugar a una necesidad de los sistemas de energía cada vez más eficientes. Con un tiempo de retardo de propagación de alta velocidad de 120 ns (máximo) para una mayor eficiencia operativa a la vez que garantiza una distorsión de ancho de pulso de 40 ns (máx) y un sesgo de retardo de propagación 70 ns (max), estos nuevos circuitos integrados permiten la reducción del tiempo de inactividad del inversor, lo que contribuye a una mejora global de la eficiencia energética. Además, garantizando una corriente de entrada umbral de 1,6 mA (máximo), permiten el control directo sin buffer desde microordenadores, y por lo tanto una reducción en el consumo de energía y coste.
Con un rango de temperatura de funcionamiento de -40 ° C a 110 ° C, y una amplia gama de tensión de alimentación (VCC = 4,5 a 30 V), estos CIs son adecuados para interfaces de comunicación (tales como RS232, RS422, RS485 y), incluyendo su uso en aplicaciones industriales, y soluciones de transmisión de datos entre los circuitos con diferentes tensiones. El TLP2745 y TLP2748 se encuentran en un paquete SO6L, que mide 10 mm x 3,8 mm x 2,1 mm y garantizan una línea de fuga de 8mm (min).
MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TOGLTM
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automoción que tendrán un impacto real en los diseños de vehículos de próxima generación. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB utilizan el innovador formato encapsulado de gran transistor...

