El latch bipolar de baja histéresis MLX92212LSE-AAA y el interruptor unipolar de alta histéresis MLX92212LSE-ABA están optimizados para trabajar con una tensión de 2,5V a 5,5V, por lo que resultan apropiados para su funcionamiento junto a numerosos microcontroladores de bajo consumo en sistemas embebidos. Por tanto, el sensor y el microcontrolador especificado pueden compartir el mismo carril de alimentación. La salidas de los sensores en drenador abierto permiten simplificar la conectividad a lógica TTL/CMOS. Ofrecen una deriva mínima del interruptor magnético frente a la temperatura (hasta 150 °C) o a la vida operativa, y pueden resistir una descarga electrostática de 8kV.
El MLX92212LSE-AAA está diseñado para su uso con imanes de anillo multipolo o campos magnéticos alternos. Resulta especialmente apropiado para aplicaciones de conmutación de motores CC sin escobillas, sensado de velocidad y codificadores magnéticos. Entre sus usos para el automóvil se encuentran los controles de elevalunas antiatrapa/antipinzamiento, sistemas de apertura automática de puerta/techo solar y posicionamiento automático del asiento. El MLX92212LSE-ABA permite el uso de imanes de tipo general/débiles o con entrehierros de mayor tamaño. Se puede emplear en sistemas sencillos de sensado magnético de proximidad, bloqueo de cubiertas/techos solares o sensores de interrupción de lámina ferrosa para aplicaciones precisas de posición y temporización.
Ambos tipos de dispositivos MLX92212 utilizan amplificadores estabilizados mediante troceador (chopper) con condensadores conmutados para suprimir el offset que se observa generalmente en sensores de efecto Hall y amplificadores. La tecnología CMOS posibilita esta avanzada técnica y también contribuye a disminuir el consumo de corriente y a reducir el tamaño del chip (un factor importante para minimizar el efecto de esfuerzo físico). La unión de todos estos factores da como resultado unas características magnéticas más estables y permite realizar unos diseños de módulos de sensores de forma más rápida y precisa.
Los dispositivos MLX92212 se suministran en encapsulados estándar TSOT-23 en configuración JEDEC de 3 patillas para montaje superficial sin plomo y conformes a ROHS
MOSFET de potencia de canal N de 40 V en encapsulados L-TOGLTM
Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") ha lanzado dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automoción que tendrán un impacto real en los diseños de vehículos de próxima generación. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB utilizan el innovador formato encapsulado de gran transistor...
