Con ello, el especialista en semiconductores de potencia responde a las crecientes exigencias de la movilidad eléctrica y las aplicaciones industriales modernas.
Entre los últimos desarrollos de StarPower se encuentra una nueva familia de módulos de medio puente encapsulados mediante transferencia (transfer-molded), diseñados para inversores de tracción en clases de potencia a partir de 250 kW. Estos módulos están disponibles tanto en tecnología de silicio como de carburo de silicio y utilizan la última generación Gen3 de IGBT trench, así como MOSFETs SiC de segunda generación con pérdidas de conducción extremadamente bajas, alcanzando hasta 1,3 mΩ de RDS(on) a nivel de módulo.
Los sustratos AMB de Si₃N₄ de alta calidad, combinados con un diseño optimizado de base tipo pin-fin, garantizan una disipación térmica significativamente mejorada. La gama incluye variantes de 750 V y 1200 V, con módulos Gen3 IGBT de 750 Arms y 900 Arms, así como de 450 Arms y 500 Arms. Las versiones SiC están disponibles con valores RDS(on) de 1,4 mΩ y 1,0 mΩ, así como de 1,8 mΩ y 1,3 mΩ.
Además, StarPower amplía su portafolio de módulos encapsulados de puente trifásico para inversores de tracción en el rango de baja y media potencia. Estos módulos también incorporan tecnología IGBT trench Gen3 y MOSFETs SiC de segunda generación, ofreciendo pérdidas particularmente bajas desde 2 mΩ de RDS(on).
La combinación de sustratos AMB de Si₃N₄ y base pin-fin garantiza una alta robustez térmica; además, se ofrece opcionalmente un sensor de corriente integrado. Los módulos están disponibles en versiones de 750 V y 1200 V, incluyendo variantes Gen3 IGBT de 350 Arms, 380 Arms y 300 Arms. Las versiones SiC presentan valores RDS(on) de 2,3 mΩ y 2,0 mΩ, así como de 3,0 mΩ y 2,0 mΩ.
Con estos nuevos módulos, StarPower refuerza su avance tecnológico y consolida su posición como socio de alto rendimiento para la electrificación de los sistemas de accionamiento modernos.
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