Al adoptar el proceso U-MOS11-H, el TPHR6704RL alcanza una RDS(ON) típica de 0,52 mΩ a un voltaje (VGS) de 10 V, y una RDS(ON) máxima de 0,67 mΩ a un voltaje VGS de 10 V. En comparación con el producto de 40 V existente (TPHR8504PL) fabricado con el proceso U-MOS IX-H, la RDS(ON) es aproximadamente un 21 % menor. Además, el rendimiento de conmutación del nuevo dispositivo mejora, con una carga total de puerta típica (Qg) de 88 nC y una carga de conmutación de puerta (QSW) de 24 nC, o que da como resultado una redución del índice de mérito RDS(ON) × Qg de aproximadamente un 37 %, lo que permite un funcionamiento con bajas pérdidas.

El TPHR6704RL ayudará a los diseñadores a reducir las interferencias electromagnéticas (EMI) en las fuentes de alimentación conmutadas al minimizar los picos de tensión generados entre el drenaje y la fuente durante la conmutación.

El TPHR6704RL también ofrece un rendimiento térmico y de corriente robusto, con una corriente de drenaje (ID) nominal de hasta 420 A y una resistencia térmica del canal a la carcasa de 0,71 °C/W a 25 °C, lo que permite un funcionamiento estable en condiciones de alta carga. El dispositivo funciona en un amplio rango de temperaturas, con una temperatura máxima del canal (Tch) de 175 °C, lo que garantiza un funcionamiento fiable en entornos industriales exigentes.

Alojado en el encapsulado SOP Advance (N), el dispositivo ofrece una alta compatibilidad de huella con los diseños SOP Advance existentes, lo que simplifica la sustitución y las actualizaciones a nivel de placa.

Para facilitar el diseño eficiente de fuentes de alimentación, Toshiba ofrece un conjunto completo de herramientas de diseño de circuitos. Además del modelo SPICE G0 para la verificación funcional rápida, se dispone de modelos SPICE G2 de alta precisión para reproducir con exactitud las características transitorias y de conmutación, lo que ayuda a los diseñadores a optimizar la eficiencia, las interferencias electromagnéticas (EMI) y el rendimiento térmico.

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