.Los fabricantes de equipos originales (OEM) del sector de la automoción siguen enfrentándose a la presión de cumplir los objetivos de electrificación, mientras que el coste de los vehículos, la seguridad, la autonomía y la disponibilidad de la infraestructura de recarga siguen siendo barreras para una adopción más amplia de los vehículos eléctricos por parte de los consumidores. La tecnología Gen 5 de Wolfspeed se diseñó para abordar de forma integral esas barreras y establece un nuevo punto de referencia para la resistencia específica en estado activo (RSP), una cifra clave de eficiencia en relación con el área de chip activo del MOSFET. Los productos Gen 5 permiten a los arquitectos de sistemas diseñar inversores de tracción más compactos, mejorar la autonomía por carga y dimensionar adecuadamente las costosas baterías de los vehículos eléctricos. También abren nuevas oportunidades para el SiC al sustituir los relés mecánicos por disyuntores de estado sólido y establecen nuevos estándares de eficiencia para la infraestructura de recarga de vehículos eléctricos. Las ventajas van mucho más allá del sector de la automoción, con aplicaciones como las fuentes de alimentación industriales igualmente posicionadas para aprovechar el rendimiento de conmutación sin concesiones de la Gen 5.
Permitiendo un amperaje sin rival por área de SiC
Los sistemas basados en Gen 5 pueden alcanzar la corriente más alta posible a altas temperaturas en comparación con los MOSFET de carburo de silicio de la competencia con un tamaño de 5 x 5 mm. La optimización continua de RDS(ON) por parte de Wolfspeed resuelve dos retos de diseño importantes:
Mejora significativamente las pérdidas por conducción a nivel de sistema mediante una reducción de hasta un 27 % en RSP con respecto a las soluciones de 1200 V de la competencia disponibles actualmente en el mercado. El QEM50120-25D10 de 1200 V alcanza un RSP a nivel de chip a 175 ℃ de 3,4 mΩ-cm2, y el QEM50075-025D10 de 750 V alcanza un RSP a nivel de chip a 175 ℃ de 2,0 mΩ-cm2.
Reduce la necesidad de margen de diseño a nivel de sistema con una distribución ultrabaja de +/- 18 % de RDS(ON) para ambos nodos de tensión.
Impulsando diseños que perdurarán
Wolfspeed Gen 5 incluye el mismo diodo de cuerpo introducido con la plataforma tecnológica Gen 4, pero cuenta con una temperatura de unión mejorada de 200 ℃ en continuo (215 ℃ con vida útil limitada), lo que demuestra aún más el compromiso de Wolfspeed de ayudar a los clientes a construir sistemas verdaderamente duraderos. Los MOSFET alcanzan un RDS(ON) de referencia al tiempo que mantienen una excelente energía de conmutación gracias al diodo de cuerpo blando; las pérdidas de conmutación generales también se reducen con una mejora adicional en la carga de recuperación inversa.
Diseñado sobre una plataforma comercialmente madura
La Gen 5 ofrece a los clientes una vía directa y de bajo riesgo desde la incorporación en el diseño hasta la producción en serie, sin afectar a la preparación para la producción en serie en el sector de la automoción, incluso con el aumento de la demanda de IA.
Esta es la segunda generación de tecnología MOSFET de Wolfspeed diseñada, fabricada y certificada en la planta de fabricación de dispositivos de 200 mm de Wolfspeed, lista para la producción en serie, situada en Mohawk Valley, Nueva York. La introducción de nuevos productos (NPI), el muestreo y la validación por parte de los clientes se llevarán a cabo utilizando material de producción de 200 mm. Además, no se requieren nuevas herramientas de fabricación para la producción en serie.
Disponibilidad y recursos
Hay muestras de QEM50120-025D10 y QEM50075-025D10 disponibles para clientes seleccionados a través de los representantes de ventas directas de Wolfspeed. Se espera que los nuevos productos de 750 V a 1200 V sigan lanzándose a lo largo de 2026 y hasta principios de 2027, a medida que se concretan la demanda del mercado y los requisitos de los clientes.
