La seguridad embebida sigue teniendo una alta prioridad y los diseñadores necesitan soluciones de seguridad revisadas, fáciles de usar y con un coste optimizado que cumplan las mejores prácticas de la industria. Para suministrar soluciones completas de seguridad embebida, Microchip Technology anuncia que ha ampliado su catálogo de dispositivos de autenticación segura con seis nuevos productos pertenecientes a sus familias de circuitos integrados
Silicon ha anunciado dos nuevas familias de circuitos integrados diseñados para los dispositivos IoT de factor de forma más pequeño: la familia xG27 de sistemas en chip (SoC) Bluetooth y la unidad de microcontrolador (MCU) BB50.
Diseñadas para los dispositivos IoT más pequeños, las familias xG27 y BB50 tienen un tamaño que oscila entre los 2 mm cuadrados, aproximadamente la anchura de la mina de un lápiz del número 2, y los 5 mm cuadrados, menos que la anchura de un lápiz del número 2 estándar.
ROHM ha desarrollado los circuitos integrados amplificadores para detección de corriente de alta precisión que ahorran espacio (serie BD1421x-LA) para aplicaciones industriales, en las que se incluyen estaciones base inalámbricas, PLC e inversores, además de aplicaciones de consumo, como electrodomésticos.
La tecnología SPE está poniendo las bases para todas las redes Ethernet IIoT y OT (Operational Technology) industriales basadas en una nueva clase de dispositivos Ethernet en el borde (edge) sincronizados y de baja velocidad, así como una infraestructura de cableado simplificada para flujos de tráficos sensibles a la latencia.
La amplia gama de módulos SiC de 62 mm de StarPower Semiconductor Ltd, partner de Media MicroComputer y marca representada en todo el grupo Steliau Technology-EUROPE, ofrece una alternativa inteligente a las soluciones IGBT en producción desde hace varios años.
StarPower ofrece una gama de módulos de medio puente Full-SiC en un encapsulado estándar en el sector de 62 mm ampliamente probada en diseños y productos de mercado.
Los modelos más significativos son las siguientes versiones estándar:
StarPower ha diseñado estos modelos con topologías de medio puente con mosfets de SiC que aprovechan el diodo interno del cuerpo del mosfet para la conducción inversa.
Para garantizar la máxima fiabilidad, tanto de las muestras como en las producciones en volúmenes estándar realizan un proceso de sinterización para todos los módulos de SiC de 62 mm. Además de poder llegar, si el cliente lo requiere, a tensiones de aislamiento de 6,5 kV bajo pedido.
Media MicroComputer es consciente que los requisitos de las aplicaciones suelen ser diversos. Algunas pueden requerir bajas pérdidas de conducción y bajo Rth, otras bajas pérdidas de conmutación o una relación coste/rendimiento optimizada para aplicaciones sensibles al precio. Para garantizar que nuestros clientes puedan adoptar todo el potencial del SiC a sus necesidades, StarPower ofrece total flexibilidad dentro del diseño existente sin costes adicionales de utillaje. Esta posibilidad nos ofrece diseños con menor ID y mayor Rdson en beneficio de un menor coste del módulo o diseñar con pérdidas de conmutación mejoradas con Rdson más alto.
Este es una pequeña muestra de la capacidad de StarPower que desde el 2005 diseña y fabrica módulos IGBT y módulos personalizados para aplicaciones en el área de inversores, equipos de soldadura, calentamiento inductivo, SAI, VE, energía solar/eólica y otras aplicaciones que necesitan un el rango de potencia de 10kW hasta 1MW o más.
Para acompañar en la personalización de módulos a la aplicación del cliente los ingenieros de Media MicroComputer y los de StarPower Europe AG con sede en Suiza, Cadenazzo, ofrecen su conocimiento y know-how para obtener los mejores resultados.
ROHM ha desarrollado reguladores LDO primarios, la serie BD7xxL05G-C (BD725L05G-C, BD730L05G-C, BD733L05G-C, y BD750L05G-C), que presentan una tensión nominal de entrada de 45 V y una corriente de salida de 50 mA optimizada para fuentes de alimentación redundantes que se utilizan cada vez más en aplicaciones de automoción para mejorar la fiabilidad de los sistemas de alimentación de los vehículos.
Pulsiv Limited, con sede en el Reino Unido, ha acaparado una amplia atención con su tecnología única para el diseño de fuentes de alimentación y cargadores de baterías más energéticamente eficientes. Los microcontroladores Pulsiv OSMIUM y las configuraciones de circuitos frontales de CA a CC ya están disponibles y, ahora, para acelerar la I+D, se ha lanzado oficialmente al mercado el primero de una serie de diseños de referencia.
Analog Devices, Inc ha anunciado el lanzamiento de una plataforma de diseño de referencia de unidad de radio abierta (O-RU) totalmente integrada que permite a los diseñadores de radio reducir el riesgo y el tiempo de comercialización. La plataforma es una solución completa, desde el fronthaul óptico hasta RF, y permite la personalización de hardware y software para unidades de radio (RU) de macroceldas y celdas pequeñas.
Renesas Electronics Corporation ha anunciado hoy que ha desarrollado cuatro tecnologías de dispositivos de sistema en chip (SoC) para pasarelas de comunicación en vehículos. Se espera que estos SoC desempeñen un papel crucial en la definición de la arquitectura eléctrica/electrónica (E/E) de próxima generación en los sistemas de automoción.
GigaDevice ha presentado un nuevo miembro dentro su familia de MCU con núcleo Arm® Cortex®-M4 y tecnología de 55nm, la serie GD32F350 de bajo consumo con interface de teclado capacitivo has 18 teclas.
Pregunta:
¿Hay una forma sencilla de medir corrientes de polarización ultrabajas del orden de femtoamperios?
Respuesta:
Sí, solo hace falta una configuración meticulosa.
El diseño de redes de alimentación para aplicaciones informáticas de alto rendimiento e inteligencia artificial es un reto complejo debido a las necesidades de potencia cada vez mayores por lo que se refiere a los niveles de corriente y la exactitud de la tensión que requieren los actuales procesadores avanzados.
Silanna Semiconductor ha anunciado que sus circuitos integrados (CIs) del sistema de disparo láser FirePower™ para aplicaciones LiDAR y telémetros más pequeños y eficientes ya están disponibles en volúmenes de producción.
Estos dispositivos han sido desarrollados para reducir significativamente el consumo de...
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Nexperia ha anunciado la incorporación de dos diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y 20 A a su cartera en continua expansión de componentes electrónicos de potencia. Los modelos PSC20120J y PSC20120L han sido diseñados para satisfacer la demanda de rectificadores con pérdidas de...
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La demanda de dispositivos de potencia aumenta constantemente, impulsada por el empuje procedente de sectores con grandes innovaciones como la movilidad eléctrica, las energías renovables y los centros de datos. Las aplicaciones de potencia actuales tienen requisitos cada vez más estrictos,...
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