ROHM ha desarrollado cuatro nuevos módulos de energía inteligentes (IPM) con IGBT de 600 V de su serie BM6437x, que ofrecen las mejores características de bajo ruido de su categoría junto con una baja pérdida ideal para la conversión de potencia en inversores. Los dispositivos se utilizan en equipos industriales compactos, como los motores de pequeña capacidad para robots, así como en electrodomésticos, incluidos los aparatos de aire acondicionado y las lavadoras.
Nexperia anuncia la disponibilidad en volumen de su familia de dispositivos FET GaN de potencia de 650 V de segunda generación, que ofrece importantes ventajas de rendimiento con respecto a las tecnologías anteriores y a los dispositivos de la competencia. Con un rendimiento RDS(on) de hasta 35 mΩ (típico), los nuevos FETs de GaN de potencia se dirigen a fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) industriales monofásicas AC/DC y DC/DC, de entre 2 kW y 10 kW, especialmente a fuentes de servidores y telecomunicaciones que deben cumplir la normativa de eficiencia 80 PLUS® Titanium. Los dispositivos también se adaptan perfectamente a los inversores solares y a los servoaccionamientos en el mismo rango de potencia.
Disponibles en encapsulado TO-247, los nuevos FETs de GaN de potencia 650V H2 ofrecen una reducción del 36% del tamaño para un valor RDS(on) determinado, lo que mejora la estabilidad y la eficiencia.
La configuración en cascada elimina la necesidad de complicados controladores, lo que acelera el tiempo de comercialización. Los dispositivos ofrecen un rendimiento extraordinario tanto en configuraciones de conmutación dura como de conmutación suave, ofreciendo a los diseñadores la máxima flexibilidad.
Dilder Chowdhury, Director de Marketing Estratégico de GaN de Nexperia, explica: "Titanium es la más exigente de las especificaciones 80 PLUS®, ya que requiere una eficiencia de >91% en condiciones de carga completa (>96% al 50% de carga). Alcanzar este nivel de rendimiento en aplicaciones de potencia de servidor que operan a 2 kW y más, utilizando componentes de silicio convencionales, es complejo y desafiante. Los nuevos FETs de potencia de GaN de Nexperia se adaptan perfectamente a una elegante configuración de polo totem sin puentes que utiliza menos componentes y reduce tanto el tamaño físico como los costes".
Los FETs de GaN GAN041-650WSB de Nexperia ya están disponibles en gran volumen.
Hojas de datos del producto y vídeos de aprendizaje rápido
Los diseñadores pueden ver los FETs de GaN de Nexperia en acción visitando el stand de Nexperia en los PCIM Digital Days del 3 al 7 de mayo.
Nexperia ha anunciado una nueva gama de dispositivos de protección ESD dirigidos específicamente a proteger el número cada vez mayor de interfaces de alta velocidad que se encuentran en las aplicaciones de automoción, especialmente las redes en el vehículo (IVN) asociadas con el infoentretenimiento y las comunicaciones del vehículo.
Pre-Switch, Inc., una empresa emergente de Silicon Valley que ha desarrollado el primer controlador de conmutación suave DC/AC, AC/DC basado en IA del mundo, ha publicado datos de rendimiento que muestran que su inversor de evaluación CleanWave200 de 200kW (modulado por vector espacial) supera el 99,3% a 100kHz utilizando solo tres MOSFET SiC discretos y de bajo coste de 35 mΩ por ubicación de conmutación.
La necesidad de obtener interfaces de usuario que ofrezcan seguridad, un manejo intuitivo y facilidad de uso en los automóviles hace que los diseñadores sigan concentrando las pantallas del tablero de instrumentos, la consola central y del copiloto en grandes pantallas muy panorámicas.
Maxim Integrated Products, Inc y Aizip Inc, una empresa centrada en la inteligencia artificial (IA) para aplicaciones en el Internet de las Cosas (IoT), han anunciado que el microcontrolador de red neuronal MAX78000 de Maxim Integrated detecta personas en una imagen utilizando el modelo Visual Wake Words (VWW) de Aizip con sólo 0,7 milijulios (mJ) de energía por inferencia.
ROHM anuncia el nuevo BD34301EKV, un CI convertidor D/A de 32 bits diseñado para equipos de audio de alta fidelidad, capaz de reproducir fuentes de audio de alta resolución. Al mismo tiempo, ROHM también facilita placas de evaluación BD34301EKV-EVK-001 para probar el rendimiento del nuevo CI de ROHM que se vende a través de los canales de distribución habituales.
Power Integrations presenta su CI controlador de corrección del factor de potencia (PFC) HiperPFS™-4 está ahora disponible con un diodo de refuerzo integrado Qspeed™ de baja carga de recuperación inversa (Qrr). Esta combinación ofrece una eficiencia a plena carga superior al 98% en aplicaciones de PC, TV y similares de entre 75 W y 400 W.
El convertidor analógico-digital ADC ADS131B04-Q1 Delta-Sigma de Texas Instruments es un ADC delta-sigma (ΔΣ) de cuatro canales y muestreo simultáneo de 24 bits. Este ADC ofrece un amplio rango dinámico, bajo consumo y entradas analógicas con búfer, lo que lo convierte en una opción para los sistemas de gestión de baterías de automóviles (BMS).
Tuve el honor de poder presentar una de las conferencias magistrales en la segunda RISC-V Summit que se celebró la semana del 9 de diciembre en el San Jose Convention Center. La conferencia principal se tituló “Open for Business: True Stories About How Far We´ve Come With the RISC-V Ecosystem” (Abierto a los negocios: historias reales sobre cuán lejos hemos llegado con el ecosistema RISC-V). Hablé sobre el papel clave que desempeñó el negocio FPGA de Microchip Technology al llevar el ecosistema de inexistente a uno que está listo para su adopción generalizada en solo cinco cortos años.
El sistema de adquisición de datos de 14 canales MAX17852 de Maxim Integrated es un sistema flexible de adquisición de datos para la gestión de módulos de baterías de alto y bajo voltaje. El MAX17852 mide 14 tensiones de celdas, una medición de corriente y una combinación de cuatro temperaturas o tensiones del sistema con motores de medición redundantes en 263μs, o realiza todas las entradas con el motor de medición ADC en 156us.
Los controladores de compuerta de alta corriente aislados galvánicamente de ON Semiconductor ofrecen una alta inmunidad transitoria y electromagnética. El NCx5700x es un controlador de IGBT de un solo canal de alta corriente con aislamiento galvánico interno, diseñado para una alta eficiencia y fiabilidad del sistema en aplicaciones de alta potencia.
Silanna Semiconductor ha anunciado que sus circuitos integrados (CIs) del sistema de disparo láser FirePower™ para aplicaciones LiDAR y telémetros más pequeños y eficientes ya están disponibles en volúmenes de producción.
Estos dispositivos han sido desarrollados para reducir significativamente el consumo de...
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Nexperia ha anunciado la incorporación de dos diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y 20 A a su cartera en continua expansión de componentes electrónicos de potencia. Los modelos PSC20120J y PSC20120L han sido diseñados para satisfacer la demanda de rectificadores con pérdidas de...
Nexperia ha anunciado la incorporación de dos diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y 20 A a su cartera en continua expansión de componentes electrónicos de potencia. Los modelos PSC20120J y PSC20120L han sido diseñados para satisfacer la demanda de rectificadores con pérdidas de...
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La demanda de dispositivos de potencia aumenta constantemente, impulsada por el empuje procedente de sectores con grandes innovaciones como la movilidad eléctrica, las energías renovables y los centros de datos. Las aplicaciones de potencia actuales tienen requisitos cada vez más estrictos,...
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