Nexperia ha anunciado su entrada en el mercado de diodos de carburo de silicio (SiC) de alta potencia con la introducción de diodos Schottky de SiC de 650 V y 10 A. Se trata de un movimiento estratégico para Nexperia, que ya es un proveedor de confianza de FETs de Nitruro de Galio (GaN) de potencia eficiente, para ampliar su oferta de dispositivos semiconductores de banda ancha de alto voltaje.

El primer diodo Schottky de SiC de Nexperia es un dispositivo de grado industrial con 650 V de tensión VRRM (repetitive peak reverse voltage) y 10 A de corriente continua IF (continuous forward current), diseñado para combinar un rendimiento ultra alto y una alta eficiencia con una baja pérdida de energía en aplicaciones de conversión de potencia. Con la ventaja añadida de un encapsulado de 2 patillas reales (R2P) compatible con la alta tensión y con una mayor distancia de fuga, está disponible en una selección de dispositivos de montaje en superficie (DPAK R2P y D2PAK R2P) o de orificio pasante (TO-220-2, TO-247-2). Las muestras de ingeniería están disponibles bajo petición y el lanzamiento completo del producto está previsto para el segundo trimestre de 2022. Nexperia tiene previsto aumentar continuamente su cartera de diodos de SiC, lo que llevará a un total de 72 productos que operan a niveles de tensión de 650 V y 1200 V y con corrientes en el rango de 6-20 A.

En un mundo cada vez más consciente de la energía, existe una creciente demanda de aplicaciones de alta potencia con una eficiencia y densidad de potencia superiores. En este sentido, el silicio se está acercando rápidamente a sus límites físicos. Según Mark Roeloffzen, Director General del Grupo de Discretos Bipolares de Nexperia (Bipolar Discretes Group), "los semiconductores de banda ancha, como el Nitruro de Galio y el Carburo de Silicio, están ahora bien situados para satisfacer las estrictas necesidades de las aplicaciones de gran volumen, aportando la promesa de una mayor eficiencia, una mayor densidad de potencia, un menor coste del sistema y una reducción de los costes operativos para los fabricantes de equipos originales". La diversa cartera de diodos de SiC de Nexperia aportará una mayor elección y disponibilidad a este mercado".

Los diodos Schottky de SiC de Nexperia se dirigen inicialmente a aplicaciones industriales y de consumo, entre ellas
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Convertidores AC-DC y DC-DC
- Infraestructura de carga de baterías
- Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
- Inversores fotovoltaicos

Nexperia también planea lanzar dispositivos para automoción para su uso en aplicaciones de electrificación de vehículos, tales como:

- Cargadores a bordo (OBC)
- Inversores
- Convertidores DC-DC de alto voltaje

El PSC1065H (-J/-K/-L) es el primero de una cartera de diodos Schottky de SiC que Nexperia está desarrollando para dirigirse a los mercados de la automoción y la industria.

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