La familia formada por 22 MOSFET de canal N de 40V con homologación AEC-Q101 incorporan la conocida tecnología de zanja (trench) Gen12.7 de IR, que ofrece una Rds(on) ultrabaja en encapsulados D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK y TO-220. El modelo de gama alta AUIRFS8409-7P en encapsulado D2Pak-7P ofrece una Rds(on) máxima a partir de 0,75mOhm a 10Vgs con una corriente de hasta 240A. Los nuevos dispositivos ofrecen un bajo nivel de pérdidas en conducción y unas prestaciones robustas en caso de avalancha para proporcionar mayores niveles de eficiencia, densidad de potencia y fiabilidad. Con estas prestaciones, muchas aplicaciones que utilicen estos nuevos dispositivos COOLiRFET™ trabajan a una temperatura notablemente inferior a la de los MOSFET más avanzados.
“La nueva familia de MOSFET de 40V COOLiRFET™ de IR homologados para el automóvil logra una Rds(on) de referencia en todos los encapsulados disponibles para suministrar una solución de alta eficiencia para aplicaciones de alta corriente en el automóvil que necesiten altas prestaciones y reduzca el coste total del sistema”, señaló Jifeng Qin, Product Manager de MOSFET para el Automóvil en la Unidad de Negocios de Productos para el Automóvil de IR.
Los MOSFET de IR para el automóvil se someten a pruebas dinámicas y estáticas de promediado de dispositivos así como a la inspección visual automatizada de la oblea al 100% dentro de la iniciativa de IR para la calidad en el automóvil que tiene como objetivo lograr cero defectos. Los nuevos dispositivos cumplen la homologación AEC-Q101, la cual exige que no haya una variación superior al 20 por ciento de Rds(on) tras 1.000 ciclos de temperatura en fase de pruebas, y se caracterizan por una lista de materiales respetuosa con el medio ambiente, libre de plomo y conforme a RoHS.
