Los dispositivos IRF6708S2 Small Can e IRF6728M Medium Can permiten reducir el número de componentes en un 30% para disminuir de forma importante el coste total del sistema. Los nuevos MOSFET DirectFET se caracterizan por sus bajos valores de carga y resistencia en conducción RDS(on) (1,8 mW a 10 V y 2,8 mW a 4,5 V en el IRF6728M, y 7,5 mW a 10 V y 12,0 mW a 4,5 V en el IRF6708S2) para minimizar las pérdidas de conducción y conmutación. El IRF6728M también incorpora un Schottky integrado monolíticamente que reduce las pérdidas asociadas a la conducción del diodo estructural y la recuperación inversa. Al ofrecer una solución muy eficiente y económica para aplicaciones de conmutación CC/CC sensibles al coste con la garantía de las características superiores de DirectFET desde un punto de vista térmico, el juego de circuitos de IRF6708S2 e IRF6728M aporta un excelente valor en su conjunto.
El IRF6708S2 y el IRF6728M, conformes a RoHS, incorporan la más avanzada generación de IR en silicio para MOSFET de 30 V. Además de sus bajos valores de RDS(on) y carga, los nuevos dispositivos aprovechan la baja inductancia de la resistencia parásita así como la superior capacidad de refrigeración del encapsulado DirectFET.
