La sexta generación de módulos CSTBT (Carrier-Stored Trench-gate Bipolar Transistor) reducen la saturación de tensión colector-emisor un 15% en comparación con los módulos MPD de la 5 ª generación y la capacitancia de la puerta en un 30% a 50%. Además, la temperatura máxima de unión se eleva a +175°C.
La nueva generación de módulos MPD IGBT son compatibles con los módulos IGBT de 5 ª generación, en términos de dimensiones, forma y configuración de pines. La tensión de aislamiento se ha elevado a 4000V. Los módulos de la nueva serie están disponibles como CM900DUC-24S (1200V/900A), CM1400DUC-24S (1200V/1400A) y CM1000DUC-34SA (1700V/1000A).
La nueva serie IGBT es totalmente compatible con RoHS.
Los sistemas de generación de energía están cambiando cada vez más a fuentes de energía naturales, como la eólica y la energía solar, como parte de los esfuerzos para limitar el dióxido de carbono (CO2) atribuido al calentamiento global. La sexta generación de la serie MPD responde a la creciente necesidad equipos de conversión de energía robustos, sistemas tipo megavatio a gran escala.
