Este encapsulado, con su factor de forma compacto de 14 mm x 18,5 mm, combina las ventajas de montaje de SMD con la eficiencia de refrigeración de la tecnología de orificio pasante, lo que garantiza una disipación de calor óptima. Este lanzamiento responde a la creciente demanda de una amplia gama de aplicaciones (industriales) de alta potencia de MOSFET de SiC discretos que aprovechan las ventajas de la refrigeración superior para ofrecer un rendimiento térmico excepcional. Estos conmutadores son ideales para aplicaciones industriales como sistemas de almacenamiento de energía en baterías (BESS), inversores fotovoltaicos, accionamientos de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI). Además, son muy adecuados para la infraestructura de carga de vehículos eléctricos, incluidas las pilas de carga.
El encapsulado X.PAK mejora aún más el rendimiento térmico de los MOSFET de SiC de Nexperia al reducir los impactos negativos de la disipación de calor a través de la PCB. Además, el encapsulado X.PAK de Nexperia permite una baja inductancia para los componentes de montaje en superficie y admite el montaje automatizado de placas.
Los nuevos dispositivos encapsulados X.PAK ofrecen las mejores cifras de mérito (FoM) conocidas de los MOSFET de SiC de Nexperia, siendo RDS(on) un parámetro particularmente crítico debido a su impacto en las pérdidas de potencia de conducción. Sin embargo, muchos fabricantes se concentran en el valor nominal de este parámetro y descuidan el hecho de que puede aumentar en más de un 100 % a medida que aumentan las temperaturas de funcionamiento del dispositivo, lo que da lugar a importantes pérdidas de conducción. Los MOSFET de SiC de Nexperia, por otro lado, ofrecen una estabilidad de temperatura líder en la industria, con un valor nominal de RDS(on) que aumenta solo un 38 % en un rango de temperatura de funcionamiento de 25 °C a 175 °C.
«La introducción de nuestros MOSFET de SiC en el encapsulado X.PAK supone un avance significativo en la gestión térmica y la densidad de potencia para aplicaciones de alta potencia», afirma Katrin Feurle, directora sénior y responsable de módulos y componentes discretos de SiC en Nexperia. «Esta nueva opción de producto refrigerado por la parte superior se basa en nuestros exitosos lanzamientos de MOSFET de SiC discretos en encapsulados TO-247 y SMD D2PAK-7. Subraya el compromiso de Nexperia de proporcionar a nuestros clientes la cartera más avanzada y flexible para satisfacer sus necesidades de diseño en constante evolución».
La cartera inicial incluye productos con valores RDS(on) de 30, 40, 60 mΩ (NSF030120T2A0, NSF040120T2A1, NSF060120T2A0), y en abril de 2025 se lanzará una pieza con 17 mΩ. Más adelante, en 2025, se lanzará una cartera de MOSFET de SiC para automoción en encapsulado X.PAK, así como otras clases de RDson como 80 mΩ.
