El proveedor mundial de semiconductores ROHM, junto con Delta Electronics, fabricante de fuentes de alimentación, han firmado un acuerdo de asociación estratégica para el desarrollo y la producción en serie de dispositivos de potencia de GaN (nitruro de galio) de nueva generación La combinación de la tecnología de desarrollo de dispositivos de alimentación eléctrica de Delta con la experiencia de ROHM

en el desarrollo y la fabricación de dispositivos de potencia acreditados en el mercado, permitirá desarrollar dispositivos de potencia de GaN con tensión de ruptura de 600 V optimizados para una amplia gama de sistemas de alimentación eléctrica.

ROHM ya ha establecido un sistema de producción en serie para HEMTs de GaN de 150 V que presentan una revolucionaria tensión no disruptiva de puerta de 8 V en marzo de 2022. Esto permitirá a ROHM ampliar su nueva gama de EcoGaN™ para circuitos de potencia en equipos industriales y de comunicación de IoT (es decir, estaciones base y centros de datos), a la vez que mejora el rendimiento de los dispositivos.

Kazuhide Ino, director ejecutivo, CSO, ROHM Co., Ltd.
«ROHM se complace enormemente en anunciar la asociación estratégica para la fabricación de dispositivos de potencia de GaN con Delta, un líder mundial en gestión térmica y de energía. Dado que los semiconductores de potencia —un área de enfoque clave para ROHM— desempeñan un papel cada vez más importante en el objetivo hacia una sociedad descarbonizada, ROHM continuará desarrollando dispositivos avanzados en una amplia serie de campos utilizando Si, SiC y GaN, junto con soluciones que combinan componentes periféricos como los circuitos integrados de control que maximizan su rendimiento.

Esta asociación permitirá a ROHM producir en serie dispositivos de potencia de GaN que pueden contribuir a la configuración de sistemas de alimentación más eficientes, además de desarrollar módulos de energía inteligentes (IPM) de GaN que integren circuitos integrados analógicos (uno de los puntos fuertes de ROHM) en una fase temprana, lo que ampliará aún más nuestra gama de productos fáciles de usar».

Mark Ko, vicepresidente, Delta Electronics, Inc.
«El desarrollo de dispositivos de potencia de GaN es de gran interés para la industria electrónica mundial. Hemos estado trabajando muchos años con ROHM y estamos muy satisfechos de que este intercambio técnico promovido durante tanto tiempo dé por fin unos resultados que van a suponer un hito para ambas empresas y un acercamiento entre nosotros aún mayor.

Además de esta colaboración en cuanto al GaN, Delta busca fortalecer aún más su gama de productos como estrategia comercial clave, con grandes expectativas de desarrollo de productos al utilizar las fortalezas de ROHM en el ámbito de las tecnologías analógicas (Nano) entre otras. Creemos que el reforzamiento de nuestra colaboración con ROHM nos permitirá ofrecer una amplia gama de soluciones que satisfagan las necesidades del mercado mundial en cuanto a fuentes a alimentación».

La mejora de la eficiencia de los motores y las fuentes de alimentación, que se considera que representan la mayor parte del consumo mundial de electricidad, se ha convertido en una tarea importante para lograr una sociedad descarbonizada. Dado que los dispositivos de potencia son la clave para mejorar la eficiencia, se espera que la adopción de nuevos materiales como el SiC y el GaN aumente aún más la eficiencia de las fuentes de alimentación. ROHM y Delta llevan muchos años participando en intercambios tecnológicos y construyendo una relación de cooperación en el desarrollo de diversas aplicaciones. Y esta asociación va a permitir a ambas empresas desarrollar y producir en serie los dispositivos de potencia de GaN más avanzados de la industria que maximizan el rendimiento del GaN para acelerar la innovación en tecnología de energía y contribuir a lograr una sociedad sostenible.

¿Qué es EcoGaN™?
EcoGaN™ es la nueva gama de dispositivos de GaN de ROHM que contribuyen al ahorro de energía y a la miniaturización al maximizar la baja resistencia en conducción y las características de conmutación de alta velocidad del GaN para lograr un menor consumo de energía en las aplicaciones, unos componentes periféricos más pequeños y diseños más sencillos que requieren menos piezas.

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