Cambridge GaN Devices (CGD), la empresa de semiconductores de tecnología limpia sin fábrica que desarrolla una gama de dispositivos de potencia basados en GaN de alta eficiencia energética para hacer posible una electrónica más ecológica, ha anunciado la firma de un acuerdo de distribución con DigiKey, líder en servicios de alta calidad. Según los términos del acuerdo global, DigiKey tendrá existencias sustanciales de los HEMT ICeGaN™ de CGD, fáciles de usar, resistentes y altamente eficientes, y de otros productos relacionados.

ANDREA BRICCONI | DIRECTOR COMERCIAL, CGD
"Este acuerdo es un paso importante para CGD, ya que estamos ampliando el negocio y construyendo un ecosistema GaN que ayudará a los ingenieros a explorar y utilizar los beneficios de ICeGaN para la conversión de potencia de alto voltaje. DigiKey es muy respetada y una marca de confianza, y estamos seguros de que este acuerdo permitirá a CGD penetrar y apoyar nuevos mercados en todo el mundo."

MISSY HALL | VICEPRESIDENTA, DESARROLLO DE NUEVOS MERCADOS, DIGIKEY
"Nos complace añadir Cambridge GaN Devices (CGD) a nuestro programa Fulfilled by DigiKey. Al incluir los transistores de la serie ICeGaN de CGD en nuestra cartera, DigiKey ofrece a nuestros clientes aún más opciones de eficiencia energética entre las que elegir. DigiKey siempre busca llenar los vacíos en nuestra base de clientes, y la incorporación de CGD a nuestra comunidad de proveedores es un vacío más que se llena y un paso más hacia una gran innovación."

Recientemente, CGD ha lanzado su familia de HEMT de nitruro de galio ICeGaN serie 650 V H2. Los nuevos componentes reducen la complejidad del diseño, ya que pueden controlarse con controladores de puerta disponibles en el mercado. En términos de eficiencia, los HEMT ICeGaN presentan un QG 10 veces inferior al de los componentes de silicio y un QOSS 5 veces menor. Esto reduce en gran medida las pérdidas por conmutación, lo que permite unas cifras de eficiencia líderes en el sector que se traducen en una reducción del tamaño, el peso y el coste del sistema. Los HEMT ICeGaN de la serie H2 también abordan los problemas de fiabilidad y robustez empleando la interfaz de puerta inteligente de CGD, que elimina prácticamente las debilidades típicas del GaN en modo electrónico. Los dispositivos presentan una mayor resistencia a la sobretensión, un umbral más alto de inmunidad al ruido, supresión dV/dt y protección ESD.

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