Basándose en la plataforma de circuitos independientes, la plataforma de CI y la plataforma de procesos, MORNSUN, distribuido por Mecter, ha lanzado la tercera generación de convertidores CC/CC de la serie QA-R3/QA_C-R3 especial para el controlador de IGBT/SiC MOSFET. La distancia de fuga de la serie QA_H-R3/QA_HC-R3 cumple con la aplicación de potencia del sistema de 1700V, por lo que es el convertidor DC/DC óptimo y fiable de las soluciones de conducción.
Ventajas
Tensión de aislamiento: 5000VAC, aislamiento reforzado
Basado en el diseño de CI independiente de MORNSUN, el voltaje de aislamiento de la serie R3 llega a 5000VAC, más alto que los productos convencionales del mercado (3750VAC), y cumple con los requisitos de aislamiento reforzado, la fiabilidad general se ha mejorado mucho.
Como dispositivos semiconductores principales, la mayoría de los MOSFET IGBT/SiC del mercado se utilizan en aplicaciones de media y baja tensión, donde la tensión es de 650V/900V/1200V/1700V.
Conforme a la norma IEC-61800-5-1, la serie R3 presenta una tensión de barrera continua (descarga continua) de hasta 1700V, que puede utilizarse para los dispositivos MOSFET IGBT/SiC que tienen tensiones inferiores a 1700V. La distancia de fuga de QA_H-R3/QA_HC-R3 es superior a 14,14 mm.
En comparación con la serie R1, se han optimizado las prestaciones de la serie R3:
1. Aumento de la eficiencia: 80% → 87%
2. Reducción de la ondulación: 75mVpp → 50mVpp
3. Aumento de la carga capacitiva: 220uF → 2200uF
4. Aumento del rendimiento ESD: ±6kV → ±8kV
5. Reducción de la capacitancia de aislamiento: 6,6pF → 3,5pF
Aplicaciones
La serie QA-R3/QA_C-R3 se puede utilizar ampliamente en las soluciones de conducción de IGBT/SiC MOSFET del inversor fotovoltaico, el controlador del motor y la carga de vehículos eléctricos.
Tomando como ejemplo el sistema PV - SVG, éste proporciona la fuente de alimentación al chip controlador para que el IGBT/SiC MOSFET funcione eficazmente.
Características
• Tensión de aislamiento: 5000VAC (aislamiento reforzado).
• Tensión continua de barrera soportada 1700V.
• Eficiencia de hasta el 87%.
• Encapsulado SIP de tamaño compacto.
• Carga capacitiva máx. Carga capacitiva: 2200µF.
• Capacitancia de aislamiento ultra-baja: 3,5pF (típica).
• Rango de temperatura de funcionamiento: -40℃ a +105℃.
