Toshiba Electronics Europe ha lanzado un nuevo transistor bipolar más pequeño para su uso en la etapa Tr de salida de sistemas de audio de alta definición. El nuevo 2SA1943N y 2SC5200N proporcionan la misma alta calidad de salida de sonido como el ahora famoso 2SA1943 y 2SC5200 pero en un encapsulado TO-3P (N)

a sólo tres cuartas partes de la anchura y longitud, para reducir el consumo de espacio en comparación con el anterior encapsulado TO-3P (L). Esto proporciona a los diseñadores de productos mayor flexibilidad, manteniendo al mismo tiempo encapsulado de potencia (Pc) a 150W.

El transistor 2SA1943N tiene un ratio de tensión máxima tensión de colector-emisor del (VCEO) de -230V y un ratio de colector continuo de corriente (IC) de -15A, mientras que el 2SC5200N tiene un VCEO máximo de 230 V y un IC de 15A.

El transistor 2SA1943N permite un ganancia de corriente DC mínima, hFE (1) de 80 (VCE = -5V e IC = -1) y hFE (2) de 35 (VCE = -5V e IC = -7A), mientras que el 2SC5200N hFE (1) de 80 (VCE = 5V y IC = 1A) y hFE (2) de 35 (VCE = 5V y IC = 7A). Otra ventaja es la alta linealidad de hFE y también VBE. Ambos dispositivos logran una frecuencia de transición típica (ft) de 30 MHz.

Los nuevos dispositivos se encuentran en un nuevo encapsulado TO-3P (N) que mide sólo 15,9 mm por 40,5 mm por 4,8 mm.

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